【ＮＥＤＯ実用化ドキュメント028】次世代強誘電体メモリ（FeRAM）研究開発

２８、電子・情報_次世代強誘電体メモリ（FeRAM）研究開発_評価技術の獲得により不揮発性メモリの信頼性を飛躍的に向上_富士通株式会社/富士通セミコンダクター株式会社_取材：December2010：http://www.nedo.go.jp/hyoukabu/articles/201008fujitsu_semicon/index.html

高信頼性
書き換え回数が従来比10万倍以上の不揮発性メモリを量産

情報量の飛躍的増大に伴いメモリには大容量化、機器の省エネ化など様々な性能・機能が要求されるようになってきています。「不揮発性メモリ」（なるほど基礎知識参照）は電源を供給しなくても記憶を保持できるなどの特徴からその重要性はますます高まっています。富士通／富士通セミコンダクターは書き換え回数が従来の不揮発性メモリの10万倍以上の強誘電体メモリ（FeRAM：Ferroelectric Random Access Memory）を1999年以来、量産・供給してきました。この実績はNEDOプロジェクト「次世代強誘電体メモリ（FeRAM）の研究開発」などを通じて、常に最新の技術を導入してきた地道な努力の成果でもあるのです。

※詳しくは下記資料をご覧下さい。