セミナー番号
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S00924 |
講 師 |
(株)アルバック 半導体電子研究所 第六研究部 部長 門倉 好之 氏
(有)アーステック代表取締役 名古屋大学 客員准教授 小島 啓安 氏 |
| 対 象 | スパッタに関係する技術者、担当者 |
会 場
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総合自治会館 3階 第1会議室
【神奈川・川崎市】
JR武蔵小杉駅、東急武蔵小杉駅から徒歩7分 |
日 時
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平成22年9月14日(火) 13:00～16:15
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| 定 員 | 25名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。 |
聴講料
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1名につき47,250円(税込、テキスト費用・お茶代を含む)※9月3日までに初めてお申込いただいた新規会員様は早期割引価格⇒42,000円⇒(要会員登録無料)◆早期割引:お申込の際に人数登録で“1名(早期割引申込:新規会員登録者のみ)”をご選択ください ◆同一法人より2名でのお申し込みの場合、73,500円 ◆詳細・お申し込みはこちらから◆ （画面下部の項目を選択して『カゴに入れる』を選択） |
第1部 スパッタの基礎と装置から見た改善策
【13:00-14:30】
(株)アルバック 半導体電子研究所 第六研究部 部長 門倉 好之 氏
【講演主旨】
薄膜形成技術であるスパッタ法の基礎を原理に基ずき、わかりやすく解説します。また、装置の改善事例を紹介します。
【プログラム】
1.スパッタリングの基礎
1-1 薄膜形成法の分類
1-2 スパッタリングと蒸着の比較
1-3 スパッタリング装置の基本構成
1-4 スパッタ蒸発とスパッタ率
1-5 エロージョン
2.スパッタ装置の改善と変遷
3.膜厚分布の改善
3-1 膜厚分布を決める要因
3-2 蒸発源とTS距離
3-3 磁気回路とその移動
3-4 放射と散乱
3-5 ターゲット使用による膜厚分布変動
4.ステップカバレージの改善
4-1 ステップカバレージの改善要求
4-2 カバレージが必要な理由
4-3 スパッタ方法の改善
【質疑応答 名刺交換】
第2部 反応性高速スパッタおよびカソード技術
【14:45-16:15】
(有)アーステック代表取締役 名古屋大学 客員准教授 小島 啓安 氏
【講演主旨】
携帯電話をはじめとして、タッチパネル市場が大きく伸び、それに追従するかのように半導体も盛況である。これらのニーズに加えて、反応性スパッタの技術的な発展が有る。重要度を増しているこの反応性スパッタ技術のコア部分を解説する。
【プログラム】
1.スパッタの基礎
1-1 マグネトロンスパッタ
1-2 RF、DC、パルススパッタ
1-3 メタルスパッタと反応性スパッタ
2.反応性高速スパッタの種類
2-1 遷移領域制御の概要
2-2 プラズマエミッション制御
2-3 インピーダンス制御
3.特徴のある各種カソード技術
3-1 矩形、丸型ターゲット(マグネット回転、遥動)
3-2 回転ターゲット(ターゲット回転)
3-3 デュアル型ターゲット(1対型ターゲット)
3-4 対向型ターゲット(低ダメージ)
4.高速スパッタ応用例
4-1 光学薄膜
4-2 有機EL用バリアー膜
4-3 光触媒膜
4-4 ITO膜
4-5 その他
【質疑応答 名刺交換】
