ZEN4 Ryzen7000 メモリOC メモリーOC DDR5 CL20 Overclock Amebo , DRAM , 電圧
＜ 目次 ＞
・ 予備知識のやつ
・ 予備知識２ サブタイミング側
・ じゃんぱら で クレカが失敗する（その解説）
・ DDR5の構造的な限界 （CL14は無理）
・ 2024-2月 DDR5 low CL について追加
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価格
16GB 4000円 最終価格は3000円
32GB 7500円 最終価格は6000円
48GB 7500円は必須 16000円くらいは必須
新品で4000円？「最終的にはおそらく、」
ただし灰のAダイしか手に入らないについて。
ｔRFC 250nsでも支障が出ないCASEであれば Micronの64GB 12000円
新品 16ｘ２で 10000円は？「定価。」 それが最終的には8500まで来る予定で。 溝を掘る ドライエッチングとかの機器とかの料金が やはりEダイとかに割り増しされており。
16nmのとこに壁があって。 DDR4の２GBのが糞高いってことで。 DDR5の32GBのは16500円が定価。
8000円が（新品）定価というかは 結局はドルとの為替相場へ依存するから ドル115円で計算すると 今のところ8000円になる予定が無い。 8000円の場合は差額は発生しないが 露骨に損害してるということもなく
であるから
ZEN4を定価買いしたり、 ZEN２を 15000円まで待たずに 回収したり、ZEN2の12コアとか買っちゃったCASEの方が ⇒ 32GB 8000円と比べると ものすげえダメージが鬼（完全にボラれたいうかは「やらかしたと。」）
マザーボードのこの5000円か？「そういうこと。」 この3500円とかやな
SSDか？「そう。」 その4000円の方が重いわ。 32GB 8000円と比べたらだぜ
ドル115円で 13000円 64GB Micron or めっさ後な状態のA-die ２GBと３GBの２個しかないときに限り HynixならA-dieはずっと出てくるやつ。 どのくらい後か言うたら ZEN3の時の Eダイと同じな頃くらいな位置まで それ完全にZEN5世代のだよ
そのあたりであれば 13000円 灰のAダイになってるはず。 中古10000円で64GB組める可能性が高い（！）
8000円の差額が「ある。」
中古を買い取った店としては とっとと買ってくれー。なので 中古10000 灰Aダイ狙いは可能。
ただZEN5世代な頃になるんで
まじで。 そんな後ろなとこになるんで。。
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キャンセル方法：
クリスマスプレゼントでもらうことにしたので、すみませんが。キャンセルお願いします
でOK
25000円は下がるってわかってながら ＋ しかも中古ならば ＝ それでOK
店も店なのな。 個人店舗寄せな場合は
わかっててもこの売り方はあかん！いう。 瓦の東芝と SSDとかも付けるとかしろとだけ
それでもグラボが RX7900XTは 500USDが確定してるわけでと。 もう400USDだぜ
１TBのSSDと ８TBの瓦と あと電源やで。 中古４Kモニターを直に付けてもいいくらいよ 極端にボッテルCASEなら。
・ 新品品は新品品のルール PCワンズなら RX6700XTは55000円（当時）
・ 最終的には40000円だが。 AMDが出荷をなぜかやめちゃってさあ RX6600XTを売っちゃって。 RX6600XTは25000まで下がるのな（新品） ZEN5に８GB乗せる気か！こん野郎♪なっちまう件
・ 中古は、 購入側がルール守らなあかんねんな。
RX6700XTなら 45000～40000割れ！ 「購入禁止レギュ。」 40000割れからさらに30000まで待ってもいいが。 40000割れで即購入してくれるんなら 中古屋はなにも困らない。
64GB 12000円で即買ってくれるなら、 ぜひ！待っといてくれとだけ。 「これ、税金対策の話で。」 税金で15％も持っていかれてしまう。
だからさあ 変わらんのやわと。。 だから RX6700XT 39000円まで待ってくれててもOKで。 30000でもいいねんけど、利益自体もがっつり減るし 中々費用を回収できない。それだけ長引く
80000 ⇒ 60000になっちゃっても なにも問題が無いのな、
１年放置すればひとまず、税金対策を振り込むことが可能になる。 究極45000（中古90000付けた場合、その50％までならいける。） ただ同時の買取価格は そこまで低くないで。ってのがあり
中古品は購入禁止レギュが 客側に発生する件
新品品なら RX7900XT 599USDくらいかな？ってとこ。 RX6900XTよりは絶対に安い ５nm版の方が、 RX6900XTはマイニング側で吸ってはあるが それでも＋１５％くらいの割増料金がある「ちょっと無理してるVer（製造難度）」
RX6700XTは 小売り希望価格が319USDな感じでと
RX6600XTは 限界価格199USD 定価249USDとかなってる ＜＜ この値段を予想するのが先
ZEN4は 7900Xで299USD ＜＜ 新品価格ルール
中古になると 30000で即決してくれるならOKですルール
ZEN２なら 17500円でも 3700X「は」OKですよルール
時給300円の国があって、 そういう地域の場合は ZEN+が生命線で。 Sandy 2000円で買えたりするから そっちの中古が売れるから。 Pentiumを持って行ったとこでだめだったと ⇒ 時給500円以上の地域に大量に流れつくってわけやなと
ZEN＋は無理か？「だってZEN２が 5000円やぞｗｗｗ」 もうこんなのさあ ZEN＋が候補になることは無いやつ
６コアの 3600であっても、 ６コアのZEN3 4500とかであっても 平均的には（仮想PC以外ならば） 圧倒的やもんまじで、ZEN3が。 時給500円の地域に限っては ZEN＋やねん。 7500円の差額が辛いニャー
ノートPCを
買うくらいなら。 ZEN＋で８コアで組んで 持って帰らせたほうが、良心的で。
PC自体の環境が無いねんのとき（例外） ⇒ ノートPCは悪手。 図書館とかにはネット環境あるねんであれば そこで１回、調べてるというか ちょっと知ってるので。 ノートPC（ZEN4ノートとか）にしても 「まあ。」ってだけ
特殊条件なのな、
液晶を追加するわけには ＋ さらに ＋ 電源的な意味でもやねんとか（APUの増設も困難） ＝ ZEN4ノートの登場。（っつう） グラボが余ってて APU側があるんだよのとき ＝ これ以上の数があっても 電源とかな意味でだめ。 ＝ 電池動作。っていう
（ZEN２ノートが10000か、、買った！みたいな：例）
（ああーーSkylake 6500円で本体がや、売っててなあ。HDD込みで。、、ああーー買わんでよかったー。と）ほんまに要る人が居てるんで ZEN4 10000は無理か？どころか 見込みがないん。
定格の消費電力は あまり変わらないやつ。 ただN5だから 下は完全にLow。 デフォで0.700V 推測0.675V
負荷中はSandyと同じになるが（GPU回すと） 通常時はSandyの完全に１/３ Vage12積んでても、無効化してても電力は食われる件
Sandyの１/３で済むなら ３ｈいける！ 電池にもよるが。
ZEN2ノートは 原則にVega５ ZEN4ノートがVega８だが内部的には RX560とか RX5500XTと同じ。（それをどう考えるかよな。）
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－－－－ 予備知識 －－－－
（※ 常温 40℃ の場合）
DDR3 3200 CL12（CL14）
DDR3 2933 CL12
DDR3 2133 CL10
DDR3 1600 CL８
DDR4 2933 CL16 1.200V 灰Cダイ
DDR4 2933 CL18 1.200V（推奨1,25V ｔRFC 416）Micron Eダイ
DDR4 2133 CL11 1.15V Eダイ 1.20V Bダイ （+133につき＋0.045V）
DDR4 2400 CL14
DDR4 3200 CL14 （CL16）
DDR4 3200 CL16 1.35V Micron reb「D」（tRFC 350くらい）
DDR4 3600 CL16
DDR4 3866 CL16 （CL18）
DDR4 4133 CL18
DDR4 4733 CL18 （4666）1.525V 寒のBダイ
DDR4 5333 CL20 1.60V 灰 Dダイ 17nm
DDR5 3200 CL14（NG） ⇒ DDR４でいう CL8と同じ判定 構造的に無理
DDR5 3200 CL16（CL18）⇒ CL16は DDR4 CL10と同じ判定 推奨CL18
DDR5 3600 CL18
DDR5 3733 CL20
DDR5 4000 CL22（CL20）
DDR5 4133 CL22（CL20）
DDR5 4266 CL22（CL20）
DDR5 4800 CL22 1.20V （寒 Samsung 14nm??）
DDR5 5200 CL24 1.35V ｔRFC 333（Mダイ??）
DDR5 6133 CL26 1.60V Aダイ？ ｔRFC1 － 477未満（450？）
DDR5 6133 CL26 ⇒（CPU VDDIO MEN 1.25V / DDR VDDQ 1.45V なのだが 1.50VのCLなとこでならば DDR VDDQは 1.35Vで十分らしい
ZEN4の場合 IF（FCLKってのは I/Oダイのインフィニティーファブリックのこと） IF 2066MHzがほぼ上限らしく。2000にすれば DDR5 6000に下げてあげれば SoC 1.05Vに減るようだ、 6133をしようとするとメモコン側が対応できてないらしく SoC電圧1.20V以内も必須になる罠）
DDR5 6133 CL28
DDR5 7000 CL34 1.45V Hynix M-die
DDR5 8000 CL30（CL32） A-die の 原片（通常品って意味）
DDR5 8400 CL32 1.75V?? A-die
DDR5 8600 CL34 1.675V A-die
DDR5 8800 Aダイのちょっとした当たり石
DDR5 8800 CL36 1.675V Hynix 24Gbit チップ
DDR5 9066 Hynix 24Gbit チップ
DDR5 9600 Aダイの完全に当たり石 （つまり電圧要求が0,0375V低い個体）
（DDR3と DDR4から推測すると7200までは12nm世代で行くが、8000以上は完全にOC ＆ しかも白片のB品品質のを使うと壊れる領域。7200と6400の電圧を下げるなら 12nm版のでしか無理。）
12nm世代であれば 電圧のみなら CL18 4133 1.25Vくらいかなってとこ ：目安
問）CL24ってどのくらい
A： CL19 3433くらいにはゆるゆる CL18 2933と同レべなまでにゆるゆる
A： 12nm世代になると 電圧が10％減るから 1.25V CL22以下になるはず??
問２） 最終的な DDR5 12nm 世代において、CLいくつだ
A： DDR4 CL14 と DDR5 CL22が同じ位置 最終的に CL24 6400になるみたい??
A： RCDWR RCDRDのとこは CL16－16/RCD－16/RCD－16/RP－32/RAS
クロック依存だがらCL24 －28（30）－28（30）－28（30）－tRAS32か30、 ｔRFCはMダイと同じ nsな物だったらに限り MicronのEダイが 3200 ｔRFC 454くらいなのな。 Eダイの約半分がMダイとかAダイで（150ns～110ns）
Eダイと同じ数値のtRFCで。 クロック側が２倍になるやつ。（最終的にはだぜ、）
DDR3 1600 CL6として、 CL24 6400ってのは REFI（リフレインターバル）のとこを 65000にするとかすれば DDR3寄せな平均値を再現が可能っぽい。 すなわちは DDR2のレイテンシの低さは魅力的やな。
シャープの2011年のVAとか。 DDR2か DDR3 だろうし。 DDR3を使ってるの液晶ディスプレイのなら まあ、いけるんちゃうかいう
● DDR5というか
３GB（24Gbit）のチップになると、 write/書き込みのとこが１クロックだと不安定だそうで その都合で、DDR5はwriteを２クロックに仕様Lvで変更になったので 3866以下においては。
CL とか RCDWR/RCDRD の部分と WRのとこが悪化する（構造的な仕様）
DDR3 2933 CL12なので ⇒ DDR5 6000 CL24 DDR5 6400 CL24になると
DDR4 3866 CL16風な感じに仕上がるようだ。
ちな、
３GBのチップのは DDR5 6400以上で回したときにのみ、スペックが保証されるため
下げて使う場合は ２GBの 16Gbit品のを ＝ Hynix A die か M die
まあ、とにかくだ
２GBのチップであれば writeが１クロックで完了するため すなわちは、 もしもCL18が使える場合だったら DDR5 3866 CL18に設定が可能ってことであり、 48GBのを買った場合は 仕様Lvでで CL18での動作自体が不可能（tRFC リフレに掛かるカウンターns/秒 がそのチップの仕様Lvででそれ以下のnsにできない）
かもしれないのでと
・参考（予想値）
DDR5
CL 20
RCDWR 24
RCDRD 24
RP 24
tRAS 32か30 （ここはDDR4と同じ）
RC 48 （ここもDDR4と同じ）
WR 20か24 （DDR4の場合は14か16）
CL 20－24－24－24－32－tRFC － RC48 －WR24
（灰のAダイの場合は MicronのEダイの半分とすると、 DDR4 2933 416だから ＝ tRFC 208？）
DDR4の場合は DDR4 2933までならば
CL 16 16 16 16 32 tRFC － 48 － 16
DDR4 3200になると
CL16 17 17 16 32 tRFC － 48 ー 16
１） RCDの数値はクロック依存、電圧に関係無く増える
DDR4の場合は定格の範囲内のメモリクロックなら17か16 4133とかになるとRCD 18以上
２） tRFCの数値は チップ側の仕様
そのため 電圧を盛り続けても減らない。 寒のBダイはtRFC 120nsとかなってるが 120nsにするには電圧が必須でと。 140nsへ妥協した設定にすると要求電圧が減る。 Micron Eダイ はtRFCがゆるゆるなので 1.225Vのとき
1.250V（＋0.025V）あればいける（ようだ。）。 1.275V（＋0.05V）させようが チップ側の仕様へ依存するためそれ以上 詰めることはできない
・参考（予想値２）
DDR5
CL 18
RCDWR 20
RCDRD 20
RP 20
tRAS 32 か 30
tRC 48
tWR 20
どういうことかと言うと、 MicronのEダイで DDR4 3200のときに RCD14にすると、 空冷な温度では仕様Lvででだめみたいでと。 DDR4 3200でRCD 17か16が確定してあるので 3866になるとRCD17か18が（実は）確定してて。
言い換えると DDR5 3200 RCD 20の設定がもしも通った場合、
ひとまずはRCD20までは 仕様な次元Lvでで設定可能ということ。もしも通らなかった場合は RCD24以上の可能性が濃厚となる。（やら。）
・参考（予想値３）
DDR5 5200
CL
RDCWR 29？
RDCRD 29？
RP 28
RAS 32/30
RC 48
RTP 10
WR 16？
WCL （はCL「－２」）
RRD_S ４
RRD＿L ６ （４）
WTR＿S ４
WTR＿L 12（10）
ｒｄｒｄSCL ４
ｗｒｗｒSCL ２
rdwr 12
wrrd ２ ＜＜ ここ DDR4ならwrrd１とrdwr６ （規則性なのかなあ？）
CKE １？２？４??
FAW 20 ・16・18
－－－－－ 予備知識２ （↑の続き） －－－－－
● サブタイミング側
ｔFAW ：
これは露骨な待機時間の設定。であり
ｘ４ ｘ８ x16 とは何のことだ？よりも、 tFAWの数値は
DRAM ページサイズ / page size に依存してある。
ページサイズ １KB の場合は tFAW 16 か 20 か 18
ページサイズ ２KB の場合は tFAW 20 か 24 か 22
片面 ８枚の場合は ｘ８
両面 ８ｘ２の場合も ｘ８
片面 16枚の場合は ｘ４
片面 ４枚の場合は ｘ16 （片面４枚の DDR5 8GBの場合 tFAW20以下にできない）
HBM１のときは ページサイズ２KBのため、HBMとしては微妙だったので
HBM２からは ページサイズ１KBにして、 tFAWの数値をほぼ０にしたらしい
とにかくｔFAWってのは 最低値＋２あれば何も問題がないので、 過剰盛りはNG奴
WR：
WRも待ち時間の設定であり
ただWRは過少設定であっても 実は動作ができてしまうので、不適切な数値に設定されてあるかが判りにくいタイプでと、 ひとまず DDR4の段階で「14」が設定されてあるとだけ。
DDR5の場合 ｘ1.5になってたら22か24。ｘ２まで悪化してる場合は28か32
ただオーバークロックの 人柱レポ いわく、WR６・７・８になってるんで、 WR16のままでもいける可能性あり??
RC：
ひとまず48
ｔRAS：
ひとまず32 （ちなｔRAS 30にすると電圧要求が増えるパターン）
RTP：
DDR4の場合は８、 DDR５になると悪化する（10か12） DDR5 8000 tRTP12
rdrdSCL：
wrwrSCL：
DDR4の場合は３と３ （４と４でゆるゆる設定 ２と２でクリティカルOC）
DDR5の場合でも ４と４でいけるかもしれん
WCL：
ここはCLと同じ、ただCLが過剰な場合は CLから－２すること
ｗｒｗｒｓｃ：
ｗｒｗｒｓｄ：
ｗｒｗｒｄｄ：
１・７・７はゆるゆる １・４・１でいいらしい すなわちDDR5の場合１・７・７でOKということ
ｒｄｒｄｓｃ：
ｒｄｒｄｓｄ：
ｒｄｒｄｄｄ：
１・５・５は定格 １・５・１でいいらしい たぶんDDR5の場合 １・６・６でOK?? （１・４・４でOC版）
CKE：
DDR5の場合は利用されないと思うのだが、DDR４の場合はひとまず１振りがデフォ
RRD_S：
RRD_L：
DDR4の場合は ６と６が定格 ４と４でクリティカルOC
DDR5 8000で４と８
WTR_S：
WTR_L：
DDR4の場合は ４と10が定格 ２と７でクリティカルOC
DDR5 8000で12と24
・ProcODT：
定格40オーム、 DDR4 3866とかなら 32オーム、 CPU側が当たり石なら24オーム
32オームへ下げると要求電圧が減る
メモコン側が対応してない（ ZEN4 DDR5 6133 以上～）そのとこからな場合は40オーム以上が必須
・ RTT_WRとかの抵抗値：
Ryzen DRAM カリキュレーターを参考にすること
24Ω、20、20、24Ωってなってた場合、 まあチップ側の製造ロットによって個体差があるってことでと、 仮に20Ωって書かれてることがあったら。 このMicronのEダイは その項目のとこを20オームにすると「◎」ってこと。：例
・tREFI（リフレ・インターバル / 次に再リフレッシュするまでの間隔）
ここの数値は ｔRFCと同じタイプであり、 DDR4 3200 16000（７．５us） ＝ DDR 6400 32000（7.5us）
3866の場合は 32000であれば、一応は統計上は 55℃以下を前提としてセーフ
PCケース側が サウナ部屋とかになってなければOKということ。トップフローのCPUクーラーであれば 基本的にセーフ。 サイドフローの虎徹とか うんこ色Noctuaのを使ってた場合は メモリ側に＋１個推奨
Ryzenの場合は ｔREFIを設定できないらしく
ASUSの Memory twicker とか、 Asrockの Memory Timing Configurator でMODするしかないのみ
マザーボードを買ったときに、付録品でついてくる DVDディスクに
実は そのアプリが入ってて。 （ その例。MSI を Ryzenのときに買ってたら？： OSのインストールディスクをUSBに作る機能のやつ。とか アフターバーナーとかが そのDVDに入ってるのな。 地味にめっちゃ必須なやつ）
これは、通常時であれば
コミケとか。 ジャンク品で。 手に入るんよ、 マイナーなバンドの曲というか 流通自体が無いのと同じような個人バンドみたいなCASEのは うｐしない限りはセーフっていうレギュ。 コミケとか、入手方法が狭いのであれば
エロゲーの場合だったら
発売から２年間はひとまず禁止レギュ、 コピー品
めっちゃ人気１位な感じのは 発売から５年くらいまではコピー品禁止レギュ。 ってだけ
DDR5のとき、ベンチマーク用であれば
DDR5 8000 ｔREFI 20万
DDR5 6400 tREFI 64000ってのは 統計上はセーフ。 55℃以下
3200の場合は 半分だから、 32000 33000ということ。
● Same bank refrash / DDR5 tRFCsb
４回に分けて バンク単位でリフレッシュする機能で、 数値はtRFC ÷４よりも高い数値
ｔRFC の １/３の数値にした場合 その数値で４回打つ。 上限はあるが tRFCを１/２にしたに相当する効果が 「理屈Lvでであるが、」見込める
ただ、Ryzenの場合 使えてない可能性があるんで
『 FGRモード 』をOFFにして tRFC1 のみを使うように設定変更する
もしも Samb Bank が有効（＝Ryzenで使えてた場合は） tRFC2 のとこの数値を下げ切った状態で ＋ さらに tRFCsbのとの数値を tRFCの１/３とか 30％とかを登録するのみ
ただこの機能は REFIの数値を、 増やしてるのが大前提になるから
DDR4 3200でいう REFI 32000のときに（16000ではなく） ＋ さらに Same bank をONにすれば。って話だから Same Bankのは CPUのアクセス回数が４倍に増える問題もあり。
もしも HDMI側（グラボ側）へのアクセスが間に合わなかったら ＝ フレームドロップを１fps しかも等間隔Verで、本当に起こしてしまう罠。 平均値は改善するが 最悪値は悪化するかもしれないので
REFIを盛ってる（改善させてる）CASEに限って有効であろうの分
Same Bankが有効じゃない可能性もあるため
Same Bank 依存ではない 灰 の Aダイ Mダイ ってのがあり。 Micronのは１a（15nm）のを使えはするが ｔRFCの数値が250nsになっており Same Bankへ完全に依存しきったタイプのやつだったと
Eダイよりは改善はするのだけども。 Eダイが285nsくらい故。
Aダイとかは 140nsってとこ DDR4のMicronの reb Dで200nsくらい/バリスポAT、 寒のBダイで120ns
● Hynix M die A die
問： どっちでもいいのかな
Ａ： 定格が完全に 4800以上になってるのが Aダイ
どういうこと？：
MicronのEダイ 定格 2666っぽいのな （3200ですらないということ）
灰の Cダイが 2933 CL16 1.20Vらしく
ZEN１もZEN+も下の電圧は変わらないが、 1.00Vでどこまで盛れるかが違う
さらに 個体差というものもあり 最大で0.05Vズレる。 多くが0.025Vモデルであり 当たりを引くと0.025下がる、 Spektec のは（Micronであるが） 0.025Vさらに必須になるようなものであり。 もっとひどい 白片 になるとDDR4 3200ですら ８チップの内の１枚が不良品だったり
バリスポとかになると （Crucial） 不良率％に差があるみたいで
Mダイは 確定で3600以上だが
Micronの DDR5の4800売りのが 定格が3200あるかどうか怪しいことになっており
灰のAダイのは 下の電圧はあまり変わらないが（0.025減る可能性はあるが） 1.35Vでどこまで上げれるかが違う奴。 Mダイは1.25V 1.30Vくらいで調整入ってる風
（0.025くらいの格差はあるかもしれないが、 0.05V「も」下のクロックで格差が出る可能性は低い）
SKHynix 1a 1α 世代のがあり 14nm
そこからは確定で電圧が 0.05V違ってくるが、 たぶん ３GB系のやつっぽいから。
Micronなら 14nmのを 液浸DUVで擦ってるから もしかしたら１b世代（14nm）のを ２GBチップで出してくるかもしれないが、 ただし Micronなので tRFCの数値が減らない問題は残る。
微細化ボーナスがあるんで 235nsくらいまで改善はするかもしれんが。。
Micronは低価格戦術を好むんで
16nmとか 15nmのをずっと出荷し続けるんで。＝ 14nm版の獲得は不可能
しかもMicronの14nmの ３GB版のは、絶望的なtRFC 360nsになっており Same Bank を使えない場合は、１手詰みを起こす罠
● 定格クロック
Micron 16nm版： 3200 （良くて）
Micron 15nm版： 4000（良くて）しかし ｔRFCは悪化
寒の17nm版： 灰のを買うべき、こいつはただの価格のみのやつ
Aダイ： おそらく定格4800以上 （最大OC 9600 あたり石に限り、空冷8800??）
Mダイ： 定格4133以上 4266?? （最大OC 7000ｘ空冷 ＋ 1.45V??）
だから 4133くらいまでの電圧の差が 0.025Vくらいってとこ
Mダイの方が RPとか tRFCの数値が低いらしい（のな。）
● ZEN4 の SoC電圧
DDR 6000 ＝ 1.05V （でいいらしい。）
DDR 6133から ＝ いきなり増えるやつ、 I/Oダイだけで４W以上違ってくる（ようだ。）
ノートPCな感覚でいえば 18Wだったものが、 そこだけで 25Wまで悪化するし。 ノートPCの空冷は35Wくらいまでだから TDP15Wってのは、ちょっとした目分量（だったと。）
デスクトップ版の場合は APU版のやつとは違い、超節電機能のを持たせてないから（ゆるい節電のみ）TDP10Wは無理っぽい。 ノートPC版のは TDP10Wまで下げれるから ４Cセルのリチウムバッテリーの場合、２ｈ可能で。
ゲームであれば１ｈか２ｈ以内。 設計上は限界９ｈ 最大４ｈみたいな感じで ZEN1まで性能を妥協して＋EUV ５nm版にしたらデフォで５ｈ行けるらしいのな。 ZEN4のコアを張り付けると ３ｈくらいらしい。
ZEN4の場合は 1.05Vでも、全然過剰でと （1.0125Vとか1.00Vまで下げれる場合は下げるの推奨で。） 想定されてるSoC電圧が1.00V以上だから 0,975Vとか「も」一応は可能だが
I/Oダイ側が不安定になることがあるらしくて。－ 機械的な次元Lvでであかんパターン（例外）
1.00Vにおいては、今のところ 電圧が過少によるｘ機械的な不良については報告無し。 電圧差で0.95Vのとこを作ってるとからしく それゆえ、 0.975Vにすると 電圧降下（電圧ドロップ Vdroop）とかOffsetの悪影響で / Offsetはそもそも0.00625VぽっちでOKで
0.95Vを作れなくなるらしく。 機械的なとこの動作がバグってしまうらしく ⇒ 電圧不足「過ぎてても。」だめだという
TSMC製 ７nmのグラボだったら 0.75V以上あれば故障率０％ 、基本的には0,7125VあればOKでと
DDR5 4800とかなら SoC電圧 1.0125Vでもあれば確実にいけるやつ（??）
SoC側（I/Oダイが）６nmになってはあるけども アナログ回路のとこは微細化されてないらしくて、 0.975Vとかにはならない。 ZEN2の段階で 1.00Vの報告があるんで。 4800以下なら1.00Vでも通るはず（？）
● 文鎮化のからくり↓↓
CPUクロックが AUTOのままになってると、 最大クロックを参照するバグを起こすため（電圧が合わなくなり、文鎮化を起こす） ⇒ なのでCPUクロックは 極端なOCでもしない限りは「クロック指定/マニュアル」するのが大正解だぜ
ブルスクとかなったときに
初期化されることがあり、そのときにTBとかが 戻ってしまい ⇒ Offset加算バグ（Offsetというのは Vcoreからそれだけ引く効果のため。）それを起こされてしまい ⇒ 電圧が合わなくなり文鎮化を起こす
もしも SoC電圧 0.975とかをやらかすと
想定されてる電圧からズレ過ぎてて そういうときに電圧が足りなくなり、文鎮化なるやつ
ZEN2の場合は 1.025Vが想定されててと。
3866とかでも使ってない限りは 1,025V Offset 0.00625Vでも設定しておけばOKだと
ZEN１の場合は SoC 1.05V以上が想定されててと。
ｔRFCの数値を調べてる場合は
SoC電圧を １．０５V以上に戻して ＋ CPUのVcoreも1.125Vとか 電圧をAUTOにしたりして。 そうしておかないと、電圧が合わない件についてを引き起こす CASEがあってだわさ
tRFCを調べてたり 数値を詰めてみてる場合は CPUクロックを３GHzに下げることも推奨で。 と
CLをわざと緩めるのな。 （調査時のちょっとした工夫、電圧要求が下がる効果）
－－－－－ じゃんぱら クレカ ロック ３回 －－－－－－
・原因１
そもそも 楽天カードが じゃんぱらを許可してない or その都度「解放」の申し込みしてくれスタイル
そのくらいには「ここの、」PCサイトが 過去に、系列とかで やらかしててクレカ会社側がBL登録してる可能性など。?? その例： ジョーシンの実店舗で ジョーシンカード以外のクレカ使ったらあかんで！
ってのを聞いたことがある。そのくらいにジョーシンは信頼性が糞（だそうだ、）
・ 原因２
電話番号の家の電話とかが Softbank の 光回線のルーター「ON」が必須で、 無線の３GHzがウザいので電源を抜いてる場合、当然に家電が繋がらないため。 クレカの処理のときにもしかすると 家電が繋がってるかを見てる可能性について。
・ 原因３
じゃんぱら自体が 現金決済を好む可能性について、
そのため 銀行振込ありますよー、など。？
？： ほかのクレカ使うのはどうかと
A： 三井住友VISAカードとかは 程度ミドルな信頼性なので。ここがつぶされるとかゆいとこへ手が届かん。
Ａ： だからその都度 楽天カードに「じゃんぱら」解放お願いしゃす。って やるか or 楽天ポイント１％を諦めて 糞カードのJCBカードで切るか、銀行振り込みするか。かと
？： じゃんぱら ｘ じゃんぱら楽天市場店 ｘ 買い物マラソン ｘ ５のつく日 ｘ 野球かサッカーチーム
Ａ： その場合 10％還元のチャンスがあるから。 物によっては「だと思われ。」
A： もしも ご無沙汰1000円チケットまでもらえたら （ってのは思う。）
A： CASEによっては楽天銀行は？「まあまあ強いのかもしれんね。」（理論値としてはだが）
だから 楽天市場店に、
どういう商品のだったら 落ちてくるかの傾向だけ。 ただグラボは放置すれば Radeon RX6700XT 30000円キリが確定してるわけだから、 ＜＜ この辺りは所見殺し ＆ 経験則やなと
カピLaboの場合は Science Studiosのグレッグ兄さん系だろうから 「副業というかは、内職寄せ。」
？： 32GBなら売りに出るんだし、それで妥協でもしておけば
A： 問題は国内の32GBの流通量でと。 48ｘ２で 128GBなるんで もうちょっとややこしいのと、 さすがに48GBｘ２ 12000円では買えんってばと。 実は 無圧縮AVIの再生において 500GBｘ20000回以内でいけるのであれば
つまりは 128GBではだめだというCASEもあり、 グラボでMPEG2で録画する機能とかがあれば（そういうアプリ） 間違いなく出番があるが。 Mダイ 32GBｘ２が落ちてたら「ま、、まじか！」って感じでと ＜＜ そもそもの流通数
Aダイのは 「それは100％やわ、」
一部のユーザーが本気で売却かけてくるのもあり、もろもろ。
とにかく結局は DRAMの容量が届かないので、 256GBコースのは SSDｘ20000回のReadなら耐久します。で妥協するのが「◎」電力を考慮しないのであれば HDD RAID0で WQHD1440ｐまで無圧縮AVIが可能。
96GB ＝ 48GB ｘ４のときに １チャンス発生するであり、 それ以外のは難いようだと ・ω・
－－－－－ DDR5の仕様と構造的な限界 －－－－－
韓国の人が 調査レポしてくれてて
（※常温 40℃）
CL14 ＝ まったくだめー （DDR4でいうCL８と同じ位置）
CL16 ＝ 限界 （DDR4 CL10 CL９と同じ位置）
CL18 ＝ 3200 CL18
CL20 ＝ 一応は可能 （ただし １β 13nm 14nm世代でしか無理）
CL22 ＝ 寒のやつで 4800 CL22 1.20Vで売ってる 32GB ECC版
CL24 ＝ DDR4 3866 CL16と同じ位置
4133 CL16？ それと同じ位置のがCL24 最終的に6400 CL24になるはず
CL28 ＝ ここから上はそもそもが利用されないやつ
動画編集してて、滑ってしまうので しぶしぶOCするときに CL28 6000とか
DDR4だったら
Micronの reb.Bが 3200 1.40Vくらい要るのな（定格が冗談抜きで2133なのね、ガチ糞） rev.Dになると 2400っぽいのね。 まじ 266ずれてんのね。 （どっちも同じ20nm） rev.Dは一応 CL16 1.35V 3200
灰のMダイが 4800以下っぽいのね。 4400くらいちゃうかと
Micronのが もっと悲惨で4000割れてる可能性があり。 １b世代のが 定格4800っぽいねんけども、 tRFCが糞過ぎててだめ
寒の １α 世代のがあって（14nm）そいつは一応CL22 CL20対応するが、 最初期の17nmのがあって そいつがmicronの DDR4 rev.bなことなってて悲惨 （韓国の人の調査レポのは「おそらく、」最悪値に近いやつ。 寒のチップだとは話してた）
灰のAダイが 5200くらいちゃうかと？。
灰の24Gbitチップのが 定格5600（１a世代らしいのね。 MダイとAダイ 17nmらしいのな。）
24Gbitのは どれを買っても、8800確定で回り。 9066までほぼほぼ確定で回り。 あたり石 DDR5 10000 。 灰のAダイでもまだ定格6400にはなってなくて
MicronのEダイが DDR4 2666 （rev.Dが 2400やねんな。 だからさらに 266ずれるんよ）
MダイとAダイの場合は 少なくても400はずれててな、 灰のCダイが DDR4 2933 CL16 1.20V。 Mダイが4400と仮定して Aダイが5200のとき 800ずれてるから、 MダイがMAX 7200と仮定して、そのまま８００ズレるから Aダイの8200 8400っていう
そういう話が出てくるわけで。
３GBチップのが １a世代になってて、 定格が5600以上になってるから そのままずれ込むから 9066 CL40っていう数字が出るっぽい。
●Mダイで 5200すると ⇒ キツイのね。 Eダイで3200 CL16やってるような感じになっており
4800まで下げるといきなり 電圧が減るから
CL24 5200 1.35V ⇒ CL24 4800 1.25Vとか 1.225Vとかまでいきなり下がる（はず）
寒の CL22 4800のは たぶん100％でそれ「１a世代」のだから、 Mダイは17nmだから 電圧が５％まじ違うから 。 しかし寒の場合は ｔRFCが250nsがほぼほぼ確定してるんで Eダイよりは上なのですがと、
ｔRFC 140nsは気になるよねと。 4800以下においては rev.D 200ns （20nm）よりも低い数値をとれる。 だから rev.Dよりも電圧減ってる以上は まあMダイでも問題無い
電圧の基礎値のとこが
MダイもAダイも同じだから 定格が片方が4400で、 Aダイが5200なだけだから 4400くらいまでの電圧はあっても0.025V～0.0125Vだけ。 その電圧差は結局は ｔRFCの数値とかを緩く設計し直したことで
どっちみち １ｂ世代（13nm 14nm）で 刷りなおさないと DDR4で言う DダイとかCダイみたいな。 1.20Vとか1.175Vってのは見込みがないいう。
200nsのは出してくるだろうけども どこかのMicronとかが。 OCするには ｔRFCとかを緩めるしかないから 定格6400にするには（３GBのが定格6000以下でと） 微細化ボーナスがあっても RPとか ｔRFCとかのとこが、犠牲になる。ようだ??
EUVは 液浸DUV 12nm以下との互換性はあるから、
プロトタイプであればもちろん存在はするがと（？） 歩留まりがもう ﾀﾋっててだめだめでと。 ZEN３みたいなことになっちまう罠 （選別した上ですらの、初期不良率20％の脅威。 ZEN＋のときにも。
ZEN２になると I/Oダイの選別基準をきっちりできるから、 ただし大量のX570チップセットが出てくるが。問題無い） ZEN＋はそれをできないから、 ZEN４も同じやねんけどもと。 I/Oダイが死んでるCASEがあるらしく メモリーを４枚刺しできない or 電圧を間違って入力されると
それだけで？
「まじ。」メモリー ４枚刺し不可能になるらしくて。 中古のZEN4まじやべえわこれ
REFIの数値が 65000保証のが。 32000保証になったり（歩留まりｗｗｗ）
冗談抜きで。 歩留まりがあかんらしく、 灰としては 12nmを液浸でやることは「想定してない。」言う。 ゆるゆる設計をね、Micornが Eダイでもう押さえてあるから ⇒ tRFC 250nsな糞仕様であれば 液浸14nmまでいけるらしく
寒のは、エラー率が糞すぎてて （G.Skillのは寒に限り、まじ最終的にはチップのどれか１枚がﾀﾋる）
米尼が E dieかを全部 不良が出次第に返品というか交換しろっていう、訴訟を起こしたくらいで。 寒の１aっぽいモデルのがあるが、 寒としてはEUV採用した 12nmのしか品質を保証できないという罠 （GTX2080など）
灰としては品質保証可能なのは 17nmまでですと （20nmの rev Dよりは上位）
Micronのは １aのは ３GBのチップのみで。 ２GBのは全部16nmだから「買ったらあかんやつ」。 寒のがあるけど どうせｔRFCのとこが無理だからと。 4800 CL22 1.20Vだから間違いなく １a世代やねんけども、
もしも ｔRFC 210nsだったら、
rev Dを 1.20Vに下げたモデル。 1.175Vも取ろう思えば可能
パパパパパ パパパパパ （0.1秒単位）
パパ パパ パパ パパ （0.125秒単位）
電圧ノイズに起因してるんか、 tRFCがもっさりし過ぎに起因してあるのかが
Eダイで パパパパパパパパパパ まではいかんが、 パパ パパ パパ パパまでは 改善してて、 パパパパパ パパパ パパパパパ （＝０．０８秒）とか パパパパパパパ パパパパパパパ（＝0.06秒）ここまで Mダイなら持ってこれる可能性があり
電圧下げるだけなら DDR5 4000にでもすれば 1.20Vは確定するから
寒のだと 電圧のみしか下げれてないから。 電圧に起因するノイズで もっさりなってるのか、が、わからんというと （tRFCもっさりの可能性もあるため）
＝＝＝＝＝＝ DDR5 low CL ＝＝＝＝＝＝＝
DDR4
DDR 4800 CL18 1.55V Micronの16GbitのBダイ
DDR 4933 CL18 1.85V (ZEN2) 灰のCダイ？ もしくはDJR Dダイ
DDR 5333 CL20 1.60V 灰のDダイ
DDR 3200のに限っては
Dダイ ＞ MicronのEダイ ＞ Cダイ ＞ 寒のBダイ ＞ Micronのrev D ＞
MicronのEダイは 3600で動作しない？「できなくは無いが、向いてない」 DJRとの格差がガチ過ぎる
3200 CL18に限っては、低い電圧を取得可能 （1.30V？ 1.275V？）
DDR5
灰のMダイ 16Gbit： これはＡダイよりもというか、5400を実行しようとすると Eダイでいう3600に相当するきつさ。
灰のAダイ 16Gbit： Mダイよりも電圧が下がってる、 ｔRFCの数値も下がってる
ZEN4は ノーマルにIF1800MHz、 一応 ２GHzまでならエラーしないがSoC電圧は２GHzに限っては1.10V以上必須、
Aダイで5600が上限もどき（IF1866MHz）
Mダイは5466ですらきつい。 5200ですらきついかもしれない ⇒ 5066なら取れるかもしれない（IF1690MHz）
一応 DDR5は4800が下の定格 （DDR4で言うところの2666くらい）
5600が 3200くらいの位置で
6000が 3600くらいな位置で
3200 CL18で考えた場合、 800 ＝ CL４なので 4000 CL22 4800 CL26ってのもある
ZEN4 IF 2066 SoC1.175V
ZEN4 IF 2000 SoC1.05Vらしい（SoC1.075V Safe？ SoC1.10V Safe！）
ZEN4 IF 1800 SoC1.025V
ZEN2 IF 1600 SoC 1.05V（なら100％で通る予定）
ZEN2 IF 1400 SoC 1.025V?（1.00VでもOK、ただし1.00Vだと リセット機能でOffset 0.05Vが刺さった場合「厳しい。」）
ZEN3 IF 1900 SoC 1.05V（Safe）
ZEN3 IF 1916 SoC 1.10V（Safe）
ZEN1 IF 1600 SoC 1.15V？？
ZEN1 IF 1400 SoC AutoでOK （SoC 1.075V？）
DDR5 （観測されてるのはCL24）
4800 CL36 1.10V
4800 CL22 1.20V？（寒 M321R4GA3BB6-CQKVS32（32GB））
5200 CL24 29 29 tRAS28 tRC52(50) １T tRTP10(12) tFAW16 1.35V (VDDQ1.25??） RRD_s４ RRD_L４ tRFC333??（444?） CWL16 CKE１
5600 CL28 34 34 1.35V（たぶんMダイ）
5800 CL26 1.40V (たぶんAダイ??）
6000 CL24 35 35 tRAS30 tRC56 tRTP10(12) tFAW20 1.75V（VDDQ1.35V） RRD_s４ RRD_L４ tRFC444 CWL22 CKE１ WTR_s４ WTR_L14(16) tRP28
RDRD_SC SD DD １・６(8)・６(8) WRWR_SC SD DD 1･６(8)･６(8) RDWR16 WRRD４ ProcODT４８Ω
6000 CL28 1.4375V（Aダイ）（VDDQ1.30V）
6000 CL28 36 36（Aダイ） tRAS30 ｔRC56 1.475V
6000 CL32 1.35V
6000 CL32 1.25V
6000 CL30 1.4125V（Mダイ）
6133 CL30 1.425V（Mダイ）
6133 CL26 1.60V
6133 CL28 1.50V（Aダイ？） 36 36 36 tRAS48 tRC84 １T
6200 CL26 37 37 tRAS30 ｔRC56 tRTP10(12) tFAW20 1.6125V（VDDQ1.45V）（VPP1.8125V) RRD_s４ RRD_L６(8) tRFC477(444) CWL24 CKE１ WTR_s４ WTR_L14(16) tWR48 tRP36
RDWR16 WRRD４
6200 CL26 1.625V?（Aダイ）（1.65V)（VDDQ1.50V 1.25V??)(VPP1.8125V） tRFC444 ProcODT４０Ω
6200 CL26 1.53V（1.575V）
6200 CL30 1.42V（Aダイ）
6266 CL28 1.620V（Mダイ）
6800 CL32 1.45V（Mダイ）40 40 40 tRAS28 ２T CWL24 FAW16 RTP８ RRD_s４ RRD_L８
6400 CL28 1.58V
6400 CL34 1.40V
6400 CL32 1.40V（Aダイ）
6400 CL26 37 37（Aダイ） tRAS28 tRC65 １T tRTP12 tFAW16 1.6375V （VDDQ1.60V/1.50V??）（VPP1.800V） RRD_s４ RRD_L８ ｔRFC420 ｔRFC260 CWL24 CKE１ WTR_s３ WTR_L14 tWR48 tRP37
RDRD_SC SD DD １・１・１ WRWR_SC SD DD １・４・４ RDWR16 WRRD６ ProcODT４８Ω RttWR RZQ/６（RZQ/５） RttPark RZQ/５（48Ω） PttparkDqs RZQ/6（40Ω）
ZEN4 SoC電圧1.35V？ 1.25Vでいいらしい IF2133
6533 CL32 1.50V（Aダイ 24Gbit）
6800 CL32
6800 CL30 1.575V
6800 CL30 39 39 tRAS28 ２T tFAW16 1.520V(VDDQ1.475V)(Aダイ） RRD_s４ RRD_L６ CWL26
RDRD_SG～DD 11・７・１・１ WRWR_SG～DD ９・７・１・１ RDWR_SG～DD 19・19・１・１ WRRD_SG～DD 56・44・１・１ tXP４
tWRPRE54 tRDPRE14 WRPDEN54
6800 CL32 ２T（Mダイ 1.50V）39 39 tRP39 tRAS28 tRFC383 tWTR16 (淫WR12) RRD_s４ RRD_L８ RTP23 FAW16 CWL28 CKE１
6933 CL31 １T
7000 CL34 1.45V（Mダイ？）
7000 CL31 45 45 tRAS63 tRC108 ２T tRTP16 tFAW23（1.45V BIOS側） RRD_s６ RRD_L８ WR96 tRFC558 CWL30 CKE27 WTR_s９ WTR_L35
RDRD_SG DG DR DD 20・８・14・14 RDWR_SG～DD 22・22・24・24 WRRD_SG～DD 76 50 12 12 WRWR_SG～DD 38・８・16・16 tXP23 tXPDLL63
8000 CL35 47 47 tRAS42 ２T tRC89 tRTP12 tFAW32 （1.49V1.50V BIOS側）RRD_S８ RRD_L８ WR12 tRFC630 CWL34 CKE４ WTR_s３ WTR_L19
RDRD_SG～DD 15・８・７・７ RDWR_SG～DD 22・22・８・８ WRRD_SG～DD 64・48・６・６ WRWR_SG～DD 15・８・４・４ tXP７ ｔXPDLL32
7200 CL27 39 39 tRAS26 tRC65 １T （Super Pi 32M）
7200 CL34（Aダイ）１T ProcODT４８Ω
7200 CL34 1.430V（Aダイ）
7200 CL30 1.68V（Aダイ）
7466 CL34（Aダイ）２T 1.4125V
7466 CL32（Mダイ） 1.600V （6400 CL32 1.40V）
7800 CL32（Aダイ）２T 1.60V
7800 CL32（Mダイ）1.65V
8000 CL27 41 41 28 69 ２T （Geekbench）
8000 CL38（Aダイ）２T 1.4125V
8000 CL34 (24Gbit 灰Ｍダイ）1.75V(VDDQ1.40V) １T tRCD47&47 tRP39 tRAS34（33だとブルスク、34だとtRFCの詰めすぎ風、36～44） tRC74（47）（100） tWR48 tRFC666!! RTP16 tFAW20 RDWR20 WRRD４ RDRDSCL８（６） WRWRSCL１ ProcODT４０Ω
RRD_s４ RRD_L10 WTR_s２ WTR_L16 ギアダウンモードOFF （パワーダウンモードONでもOKっぽい）
8000 CL32（24Gbit 灰Ｍダイ）1.80V(VDDQ1.40V)
8000 CL38（24Gbit 灰Ｍダイ）1.40V 1.4125V(VDDQ1.40V) tRCD48&48（50&50）tRP46（50） RRD_s６ RRD_L10（12） WTR_s４（６） WTR_L20（24） RDWR22（24） WRRD４（６） ProcODT４８Ω
8400 CL32 45 40 38 78 ２T （Geekbench）
8600 CL35 47 42 36 78 ２T （1.65V BIOS側）
8666 CL34 47 42 36 78 ２T （1.65V BIOS側）
8800 CL36 1.675V
8933 CL40 1.600V（Aダイ 24Gbit）
9066 CL32 47 47 38 85 ２T （極冷 Aダイ）
9066 CL40 1.630V（Aダイ 24Gbit）
予想 8666 CL34 １．３５V （266 CL１～）
予想 6000 CL24 （DDR5 最後250 CL1～）
DDR4 3200 CL16 ⇒ DDR5 4800 CL24 （まあまあ DDR5 第１世代のMダイ）
DDR4 3200 CL16 ⇒ DDR5 5066 CL24 （そこそこ DDR5 第２世代のAダイ 灰16Gbit）
DDR4 4000 CL18 ⇒ DDR5 6000 CL24 （Safe DDR5最後 250 CL１～）
DDR5 7200 CL34 ⇒ DDR4 3600 CL17 （レイテンシー）
ちなみにZEN＋の上限は4.4GHz
グラボが５nmで上限3.25GHzだとすると
だから、容量が192GBまで（32GB ⇒ 192GB）増えてて消費電力の総量が増えてるので、DDR 6000止めするのがいいとこかと（３GHz）
256GBにすると 消費ｘ８倍にいきなり増えるんで（アイドル中も。） 32Gbitチップだったら128GBで妥協するの推奨 ６４GBｘ２
・段階
DDR1 133－CL１
微細化 266－CL１
DDR5 Mダイ 200－CL１ ＝ 4800 CL24
DDR5 Aダイ 215－CL１ ＝ 6450 CL30 （6000 CL28）
DDR5 12nm 230?－CL１ ＝ 6900 CL30 （6400 CL28）（5466 CL24）
DDR5 最後 255?－CL１ ＝ 6000 CL24
・目安 （Mダイ）
4800 ＝ CL24！（ここはクロックも2.4GHzなので妥協的な電圧でまだ済んである）
5333 ＝ CL28！
5600 ＝ CL28（ただし電圧下がらない）
6000 ＝ CL30（ただし電圧下がらない）
6000 ＝ CL32（これは16スレッド用、８コアの場合はMダイ 6000の恩恵は無いのと等しい）
MAX4.1GHzのとき 2.8GHzまでなら電圧はまだ下がっていく（DDR 5600）
MAX4.6GHzのとき 3.0GHzまでなら電圧は下がっていく（Aダイの場合は2,8GHzからの下がり幅が0.02Vより小さくなる0.0175Vとか）
4800 CL24 ＝ DDR4でいうCL15 3200寄せ
5333 CL28 ＝ CL18 3200って感じのやつ
5600 CL28 ＝ CL16 3200って感じのやつ
（CL14寄せのがなくて、 CL15 CL16 CL18。ってイメージ図）
AダイはDDR4でいうCL16なやつだから
5600 CL28っていう組み合わせが発生する。 Aダイとしても5600/2.8GHzまでなら電圧は下がる（下がり幅がまだある状態）
6000 CL30にすると0.2GHz増えてるんで 0.025V以上増える 片方が1.325Vとするとき 6000 CL30にすると1.35Vが確定する
Mダイは
5333 CL28って入力すれば、 3200 CL18 Eダイ 1.2375Vな感じになる（電圧が下がる。1.300V以下になる見込み）
SoC電圧は0.025V ＋ 多くてもOKなやつで（効果も出るしって意味）
IF2000なら SoC1.05Vだが ⇒ 1.075Vでもいいやつ
IF1900なら SoC1.025Vだが ⇒ 1.05Vでもいいやつ
IF1800なら SoC1.025Vでいいやつ
初期化されると、TBがONになり Offset 0.05Vに戻る危険性があり 1.00Vにすると、そのときにブートbootできなくなるんで
IF1780であっても SoC1.025Vとか振り込んでおくのが安定。 ほぼIF1800に近いんで SoC電圧1.0125V（あったほうが確実）
・推定
DDR5 Mダイ 205くらい
DDR5 Aダイ 220以下－215
DDR5 Mダイ24Gbit 205くらい－210以下
DDR4 灰のDダイ 225くらい （CL16 3600 1.35V）
OCしたDJR 266－CL１ DDR4－5333 CL20
OCしたMダイ 215－CL１（限界OCで245以下）
OCしたAダイ 255－CL１（250までなら完全に出る） 計算上はCL40 DDR10000
OCしたMダイ24Gbit 235－CL１ CL40 9066（まあ間違いではない ＋ 9200が通らないのも納得）
5066 CL26 Mダイ ⇒ 電圧下がる
4933 CL24 Mダイ ⇒ CL14 2800って感じ Eダイ（電圧が下がらない）
5333 CL26 Mダイ ⇒ （電圧下がらない）
定格225（OC266で）
3600 CL16 1800で８ CL24－5400 CL26－5866
CL28 ＝ 3600 CL18 1.375V Eダイ
CL28 5866 CL26 5466 CL24 5066
これがAダイになると 210～220あるから
5333 CL26 電圧下がる
5466 CL26 電圧下がりきらない
5600 CL26 電圧下がらない
0.05Vくらい違う見込み。 Mダイと比べて
1.275Vで通れば 特に問題は無い ZEN4で0.925V化（Vcore）そっちが完全に乗るのもあり
欲を言えば1.225Vで通したいやつ
5333 CL26に限っては 1.25Vで通る可能性が高い（Aダイに限り。 24Gbit品のは 1.275になりそう）
3333 CL18 or 3466 CL18（って感じ）＝ CL28 5333 （3200 CL18ではない）
問題は無いとは思うけど
ZEN４の想定が CL26 5466って話でと。 あるいはCL28 5866 IF1.955GHz
DJRな世代のは CL28 5866 １．２５Vとか付けてくる。 5333 1.20Vでしたねと
ZEN３だと12コア張れないねとか ｘ 12コアに限っては それでも改善するやつ
一応。消費自体は下がってくる。
ZEN２と比べたら CCX跨ぎ/またぎのレイテンシが減ってるのは事実。3900Xだと12コアは張れない（ただのマルチタスク専用の３ｘ４）
DDRの電圧は下がってるから そっち側は評価できる（DDR4の場合は 1.35V掛かる ＆ 32GB制限付き。 こっちは４枚刺しても5333なら通せるやつ）
格ゲーはフレームドロップとかを隠蔽できるが、
アクションゲームくらいからが、プレステ１と同じく うまく見えない（敵数16 マップで出てくるなど）ってのを起こす。
それを無理糞に軽減するには ３D V-cacheで ＋ さらに解像度もFHDとかへ制限を掛けてあげてと（４Kにすると他の分でDRAMアクセスするから効果が消える）
パロディウスで特定のシーンで、
ミスると。謎のハマリを起こすのも、すごくごちゃついてたシーンで。 本来はスローモーションとかなるはずのが 止まりながら動くためなどなど
しかし FHDくらいでしか効果が無く。それ以上の解像度においては グラボとしては128MB以上あれば見えるが、それでも４Kは効果が薄い（帯域は改善するけどね。）
CPU１・２・３までが
ものすごく重たいため。
Randamアクセスへ 対応できるVerの4.4GHz（7900X3Dとか）、 動画再生とかにおいてはまず問題無いはずの通常版な4.4GHz（ただの7900X）
ひとまずは
ZEN１から見たら あるいは、Sandyノートとかから見たら いくらかなRandomアクセス耐性を獲得済みにはなってはあってと
キャラ数が少なければ、fpsが15％増えるのみの効果だけ。 キャラ数が増えた場合は ランダムアクセスで引っかかるって話（プレステ１のシューティングゲーとか、 目がすげえ疲れる なんというか覚えゲーに近いぞと。追いかけようとしてもうまく行かないやつとかは。0.03秒以内のプチフリが原因のやつ）
MMDの場合は、２コアくらいしか使えない or MMMでも４コア制限があるのと ひとまずは２コアまでが重いから
恩恵は出はするのだが
ランダムアクセスなのかはまた別でと。 DirectX９はプログラム側のロスタイムがあるんで、、キャッシュは使わないかもしれないが
CPU処理そのものが遅いというwww（ロスタイムがあるという、、）
別例なら、グラボのドライバー側がOpenGL（OpenCL？）に手が入って スコア1.5倍に増えたよと。
RDNA2の製品版が出てからやるから、 RX6700XTとか RX6600XT対応にした状態で、最適化入れたと。 物はあるけど RX5700XTは使わないよな、について。
他の内容が ２コアを埋めてるから
キャッシュにアクセスできたところで 他のとこで引っかかるからと。
３D V-cacheは４スレッド対応済みを大前提とするだったとｗｗｗ（効果は乗るが、１・２コアのランダムアクセス処理でボトルネックになってましたと。 キャッシュを持ってないからDRAMに飛んでしまい「０．０２秒とか」プチフリ起こすという。）
● コア数
16コア： 推奨6000 ＜＜ ただこいつにするには CL1 235～ （後期世代のDDR5で5.5GHzまで出る）
電圧がZEN3 vs ZEN2って感じにスライドするんで
Aダイ CL30 6000 1.40Vのとき、ひとまず電圧のスライドのみで0.05V下がる。 さらに235になったことで０．０５V減る。 （1.30V～1.275Vになる）
2023年当時としては
16コアを設置したところで 帯域が足りてないのでだめです（ZEN２からは改善するけど。帯域は足りてません）
MicronのEダイな感じのをね（灰のDJR Dダイとかをね）
装備させれば この16コアは回せるが、 ただその世代のtRFCは悪化してるんでね
12コア 6000のとき ⇒ 16コアは＋30％要るから「8000」になってて
ZEN４は絶対にくらいに ６＋６のCCXで妥協するの推奨、16コアは諦めメロン推奨
ただのマルチタスクであれば
ZEN２の16コアで ４＋４＋４＋４のCCXで行ける可能性が濃厚。 帯域付きの16コアはいける感じが無い罠
だからZEN2としては 3700Xなんよなあ（８コア）
６コアの場合は、 ZEN４の12コアが
ほぼほぼ必須になるという（６コアまでは埋まることがZEN１で確認済みのため）
ZEN２で８コアのとき ⇒ 7900Xの入手が超絶に後ろになる or あるいはZEN５で12コアを組むかの２択
12スレッドを使わない場合、基本的には６コアで回ってたら
5333でひとまず 帯域はクリアー済み。 無圧縮４Kエンコードとかなら 帯域を完全にいくから
スリッパの64コア回せません！とか、 ってことかと
ZEN５出ても、まだDDR5側は無い！というｗｗｗ
12スレッドとしても、まだDDR5側は無い！という（2024年ですら無理ｗｗｗ）
Skylakeが2015年－Q3で
ZEN１が２０１７（２年後）
つまり３年後 ってことは ⇒ これはもう絶望的やぞ（16コアが絶望的すぎるwww ＜＜ ムリゲー過ぎる）
6000 ８コア３D ＝ かなり強い組み合わせ
L３キャッシュによる帯域の改善があり（ただし４Kは無効） WQHD1440pまでなら帯域改善するやつ ＜＜ ただしこいつ電圧変更できない（糞！仕様） Vcore 0.975Vとかへ下げれない!!
ふつうは、マザー側で最大電圧はロックされてるから OCのさらにOCモードをONにでもしない限りはその電圧は刺さらないが（1.35Vを超えて入力すると CPUダイが死ぬ/ショート）
結局は Intelからの圧力だわさ。
BIOSのVcore自体を下げないと、ホワイトノイズが減らない（のな。）
Offsetのやつのは、 １．１０Vなら １，１０Vな電池から （１，１０V－容量600Aとして） 1.00Vを消費するという形態になるようで。
マザーボード側とかが１．１０Vを発生させちゃってて
ホワイトノイズは０，９２５Vとかになると（ノートPC級） 減っていくから、 使ってるのはP1ステートで0.900 P2で0.80Vかもしれないが
実は１．１０Vという電圧を発生させた状態なのは（まじで？）まじで変わらないらしく。 ＜＜ 液晶画面がもやもやしてるを発症する （電圧を下げるとクリアーになるって意味）
グラボ側も
電圧書き換えのやつで 1.000Vへ制限かけないとだめ！だったと
Vcore 1.075Vとかでグラボ側がブートbootしてあるだろうからと、と
グラボのドライバー側で 0.800Vとかへ下げてても、グラボ側で1.075Vとかが実は作られてるままなのは消えない（1.075Vの電池から0.80Vを引っ張て来たという動作をしてある罠）
●CLとレイテンシー
CL16 3200 ＝ 10ns
CL18 3600 ＝ 10ns
CL14 2800 ＝ 10ns
CL12 2400 ＝ 10ns
CL20 4000 ＝ 10ns
CL22 4400 ＝ 10ns
CL24 4800 ＝ 10ns
CL26 5200 ＝ 10ns
CL28 5600 ＝ 10ns
CL14 2666 ＝ 10.5ns
CL16 3066 ＝ 10.5ns
CL20 3866 ＝ 10.5ns
CL22 4266 ＝ 10.5ns
CL24 4666 ＝ 10.5ns
CL26 5066 ＝ 10.5ns
CL28 5466 ＝ 10.5ns
CL18 3200 ＝ 11.25ns
CL16 2800 ＝ 11.40ns
CL14 2400 ＝ 11.65ns
CL12 2133 ＝ 11.25ns
CL22 4000 ＝ 11.25ns
CL24 4400 ＝ 11.25ns
CL26 4800 ＝ 11.25ns
CL28 5200 ＝ 11.25ns
2666 CL10 ＝ 7.50ns
2666 CL12 ＝ 9.00ns
3600 CL16 ＝ 8.90ns
3866 CL18 ＝ 9.30ns
4000 CL18 ＝ 9.00ns
● 我が国の電波の周波数 2022年
ノイズOK
DDR 2800、3200、 2933、 3333、 4000、 4133、 4400、 4533、 5066、 5333～6800
4533 CL24 ≒ 2266 CL12 ＝ CL18 3200くらい （IF 1511MHz） Mダイの場合は 5200 CL24 1.35Vから５段階下げるんで1.30V以下（1.275V？）
Aダイなら 5066 CL26 1.30V以下（1.275V？ 1.25V??） IF 1688MHz
● 解説 ●
ZEN2 7nm世代は、 Vcore 1.000V未満を設定できないんで。
0.925Vにして ホワイトノイズを減らしたくても、BIOS側だと設定できない
ZEN2の場合なら
１． DDR4側を 1.25Vとかにして
２． グラボの電圧を書き換えて MAX1.000Vとそのクロックまで下げて（デフォだと1.100Vだろうし）
３． Vcoreを1.025V 3.7GHz Offset「－0.0375V」 TBとPBOは当然にOFF
４.? CPUクロックをAutoのままにしてると TBがデフォに戻ったときに（リセット機能など）TBのMAXクロックでブートbootしようとするので 文鎮化してしまいます乙。 だから CPUクロックは『必ず』（まじか？）まじだぜ。 指定しなきゃだめ。 指定してる場合は 基本的に3.7GHzでブートするのでと。
（電圧が戻らない？「ハック対策で、たぶんそうなってるっぽい。」 だからTBがONになると文鎮化するんよ もしもCPUクロックがAutoになったままの場合やが）
ZEN4であれば、
BIOS側が0.90Vを受け付けるんで
0.925V－4.4GHzが可能 （4.3GHzであれば文鎮化はほぼありえない、計算上は4.4でも起こり得ない）
0.9V自体は ノートPC側とかは前からそうだから、 DDR3Lが1.35Vだから DDR5で1.20Vまで行けば世代交代。?
RX6700XT 0,95V 2.0GHz （Safe） ＜＜ ZEN4を0.925Vにした場合
RX6700XT 1.00V 2.2GHz （Safe？） ＜＜ ZEN2 1.025V 3.7GHzの場合
RX6700XT 1.025V 2.2GHz（Safe）
RX6800XT RX6900XT 0.975V 2.2GHz（Safeらしい） 0.95V 2.1GHz （Safe）
?
DDR4の場合：
寒のBダイは CL16しか想定してない ＝ CL10まで取れはする
MicronのEダイは CL18へ最適化してる ＝ CL16に限っては3200以下なら電圧が下がる
灰のDダイは CL16 3200なら電圧は下がる、CL18寄せのCL16
MicronのEダイは CL16寄せのCL18 だから Eダイの場合はCL18 3200推奨
（電圧は Dダイ DJR ＜ Eダイ ＜ Cダイ ＜ 寒のBダイ ＜ Micronのrev D?＜ －－）
（寒のBダイの電圧は そんなに低くないが、 tRFCを低くできる）
DDR５の場合：
灰のMダイ） CL22以下は想定してない CL24なら互換性 （DDR4で言うCL14と同じ位置）
灰のAダイ） Mダイよりも電圧は下がるが CL24は互換性としての分であり CL26とかCL28系
Ｘ 4800 － CL22 ＜＜ これはあかんやつ。 Aダイでもだめなやつ
◎ 4800 － CL24 ＜＜ これは設定できるやつ AダイならMダイよりも電圧下がる
Ｘ 4000 － CL20 ＜＜ たぶん無理
◎ 4000 － CL22 ＜＜ おそらく通るかと
（CL20が無理？： 3600 CL18は通ると思われる。 3200 CL18に限っては電圧はかなり低いとこまで下がる）
（3866 CL20みたいな？： そんな感じの。）
5200 CL24が1.35Vだから
4800 CL24は1.30？ 1.2875V？（予想値）
3466 CL18とかなら、 1.275とか1.250？付くかもしれん
CL26にすると 1.25V以下行くだろうなあと。 （1.20Vを設定しようにも、上手くいかない感じ）
DDR3Lからは下がってるって言い方はできる、
ZEN２が 0.95Vを入力できないんで。
もしもZEN2で BIOS側で 0.95Vができた場合、 DDR5によるホワイトノイズカット効果をやらなくても、似たような状態へなら仕上げれる。 （ZEN３の方が ちょっと得か？「そうなるねえ。」 3.8GHz vs 3.5GHz）
DDR5－1.225Vとかの？
その恩恵を受けれるのがZEN4で。 DDR5は他の電圧側も下がってるんで
ただ、そう持っていくには グラボを電圧書き換えして 0.975Vじゃなくて 0.95Vまで下げるの推奨。N5ーEUV世代のなら 0.90V（グラボ）、DDR4の場合は1.250V未満の恩恵は ほとんど出ない可能性が高めで。