キャノンが開発したNIL（ナノインプリントリソグラフィ）技術がある。半導体ウェハを形成する際、表面にできるわずかな凹凸を平ら（5nm以下）にすることができます。下図の右側はこれまで使われてきた平坦化技術で、工程が複雑でコストもかかる。
左側がキャノンの方式でインクジェットの技術を応用し補填材を塗布しガラスで押さえるため低コスト化が図れる。なにより大きいのが、これまで主流のEUV露光で世界市場を独占してきたオランダASMLを陳腐化し駆逐できる点にある。（表面凹凸が5nm以下ならEUV露光は必須ではなくなるため）
継続は力なり。
