アジア経済ニュースNNA ASIAは2019年06月28日に、韓国の半導体大手SKハイニックス(SK Hynix)は2019年06月26日に、世界最多となる128層のNAND型フラッシュメモリーを世界で初めて開発し、量産を開始したと発表したと報告した。
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容量は1テラ(テラは1兆)ビット(Tb)で、3ビット(b)のセルを1つのチップに3,600億個に集積させた。
3次元(3D)NANDに使われる「CTF(Charge Trap Flash/チャージトラップフラッシュ)」という技術と「PUC(Peri. Under Cell/ペリアンダーセル)」という技術を融合させた。
SKハイニックスは同技術を適用した製品を「4DNAND」と呼んでいる。
128層製品は既存の96層製品比べてウエハー当たりのビット生産性を40%向上させることに成功したという。
このような技術は、限界に向かって走り続けているが、SKハイニックスでは、2020年上半期には、コントローラーとソフトウェアを搭載した2TBクライアントSSDの量産も開始する予定で、さらにクラウドデータセンター向けの16TBおよび32TB NVMe(Non-Volatile Memory express/不揮発性メモリエクスプレス) SSDも2020年リリースされる予定だと報告している。
