問題はさいたまJN509（@SJn509）さんよりご提供頂きました。
A-6 新傾向 （類似問題 令和3年12月期 A-6、令和2年9月期 A-7）
令和2年9月期A-7ではNチャンネル接合形FET、令和3年12月期A-6はPチャンネル接合形FETで同じ穴埋めの問題が出されていました。今回はMOS-FETになって登場です。
(1)既出の問題ではDS間の電圧の極性について問われたが、今回はGS間のバイアスの極性についての問題である。NチャンネルMOS-FETではゲート電極下のP形半導体のベースにNチャンネルが生じるようにバイアスをかけるので
「Gに正(+)、Sに負(−)」となる。
(2)ΔID=gm･ΔVGSであるからgm=ΔID/ΔVGSとなる。
(3)与えられた回路図記号から「エンハンスメント形」のMOS-FETであることが分かる。従ってVGS=0のときIDは流れない。
