さてさて、久々に授業内容のメモを・・・
今回は、主記憶装置（メインメモリ）とアドレスに関してです。
アドレスはメールアドレスではなく、メモリ内の番地を指します。基本的に0番地から
スタートします。
ワード：命令やデータを表す単位。16ビットや32ビットなどの集まりをこう呼びます。
セル：主記憶装置の構成単位です。セルごとにアドレスが付けられています。セルの大きさは
コンピュータの規模によってさまざまです。
命令語（命令）
ワード単位に両危機に格納されます。基本的に1ワードに1命令が入ります。
レジスタ：プログラム中の命令やデータの一時的な記憶場所です。いろいろな種類があります。
制御装置のレジスタ
命令アドレスレジスタ（プログラムカウンタ）
メモリ内の次に実行する命令のアドレスが入ります。
命令レジスタ：命令そのものが入ります。
演算装置のレジスタ
汎用レジスタ：プログラム内で指定して使用します。複数個使用できます。プログラムの変数などの
内容はここに格納されます。
アキュムレータ（累算器）：演算の途中結果を保持します。
論理素子：コンピュータを動作させるための電子回路を構成する最小の部品です。
ものによって世代別に分けられます。
第1世代
真空管：1945年から1955年ごろに、コンピュータやテレビなどに使われた。
第2世代
トランジスタ：1955年から1965年頃使われていた、個別のトランジスタを使った論理素子。
テレビやラジオなどにも入っていますね。
第3世代
IC（集積回路）：数百個のトランジスタを用いて数mmに集積したもの。
第3.5世代
LSI（大規模集積回路）：ICを集積して大規模にしたもの。
第4世代
VLSI（超LSI）などなど
半導体
導体と不導体の中間に位置するもの。温度を上げると電気が流れやすくなる。
論理回路技術（ロジックファミリー）
ゲート：論理回路や記憶素子を構成するための基本回路。
トランジスタにはMOS型とバイポーラ型が存在します。
MOS型は実行速度が低速ですが、消費電力が低くコストも安いです。
バイポーラ型は実行速度は速いですが、消費電力が高くコストも高いです。
CMOS：構造が簡単で消費電力が少なく、集積度が高い。大規模LSI無期。MOS型
ECL：動作が高速で後世のコンピュータのCPUに使われています。発熱量が多いです。（バイポーラ型）
TTL：CMOSより高速ですが、ECLより低速です。発熱が多いです。（バイポーラ型）
RAMとROM
RAM：ランダムアクセスメモリ。PCのメインメモリに使われます。SRAMとDRAMに分かれます。
SRAM：動作が高速だが容量が小さく、コストが高い。リフレッシュは不要。フリップフロップ回路で構成される。CPUのキャッシュメモリに使われる。
DRAM：動作は低速だが、容量は大きく、コストが安い。リフレッシュが必要。コンデンサで構成される。
ROM：リードオンリーメモリ。基本的に書き込みはできない。ROMライタを使うことでデータを記憶できる。電源を切ってもデータは残ります。
マスクROM:メーカーが製造段階でデータを書き込みます。それ以降はデータは読み出ししかできません。
PROM：ユーザのプログラムをROMライタにセットして1度だけ書き込むことができます。
EPROM:紫外線で一挙に全記憶を消去。何度も書き込めます。
EEPROM：電気的にバイト・ブロック単位でデータを消去します。何度でも書き込めます。
フラッシュメモリ：電気的に全記憶（部分的も可）を消去し、何度でも書き込めます。
明日、明後日はJ2第13節。横浜FC VS 愛媛FCの試合！がんがれ愛媛FC！
今回は、主記憶装置（メインメモリ）とアドレスに関してです。
アドレスはメールアドレスではなく、メモリ内の番地を指します。基本的に0番地から
スタートします。
ワード：命令やデータを表す単位。16ビットや32ビットなどの集まりをこう呼びます。
セル：主記憶装置の構成単位です。セルごとにアドレスが付けられています。セルの大きさは
コンピュータの規模によってさまざまです。
命令語（命令）
ワード単位に両危機に格納されます。基本的に1ワードに1命令が入ります。
レジスタ：プログラム中の命令やデータの一時的な記憶場所です。いろいろな種類があります。
制御装置のレジスタ
命令アドレスレジスタ（プログラムカウンタ）
メモリ内の次に実行する命令のアドレスが入ります。
命令レジスタ：命令そのものが入ります。
演算装置のレジスタ
汎用レジスタ：プログラム内で指定して使用します。複数個使用できます。プログラムの変数などの
内容はここに格納されます。
アキュムレータ（累算器）：演算の途中結果を保持します。
論理素子：コンピュータを動作させるための電子回路を構成する最小の部品です。
ものによって世代別に分けられます。
第1世代
真空管：1945年から1955年ごろに、コンピュータやテレビなどに使われた。
第2世代
トランジスタ：1955年から1965年頃使われていた、個別のトランジスタを使った論理素子。
テレビやラジオなどにも入っていますね。
第3世代
IC（集積回路）：数百個のトランジスタを用いて数mmに集積したもの。
第3.5世代
LSI（大規模集積回路）：ICを集積して大規模にしたもの。
第4世代
VLSI（超LSI）などなど
半導体
導体と不導体の中間に位置するもの。温度を上げると電気が流れやすくなる。
論理回路技術（ロジックファミリー）
ゲート：論理回路や記憶素子を構成するための基本回路。
トランジスタにはMOS型とバイポーラ型が存在します。
MOS型は実行速度が低速ですが、消費電力が低くコストも安いです。
バイポーラ型は実行速度は速いですが、消費電力が高くコストも高いです。
CMOS：構造が簡単で消費電力が少なく、集積度が高い。大規模LSI無期。MOS型
ECL：動作が高速で後世のコンピュータのCPUに使われています。発熱量が多いです。（バイポーラ型）
TTL：CMOSより高速ですが、ECLより低速です。発熱が多いです。（バイポーラ型）
RAMとROM
RAM：ランダムアクセスメモリ。PCのメインメモリに使われます。SRAMとDRAMに分かれます。
SRAM：動作が高速だが容量が小さく、コストが高い。リフレッシュは不要。フリップフロップ回路で構成される。CPUのキャッシュメモリに使われる。
DRAM：動作は低速だが、容量は大きく、コストが安い。リフレッシュが必要。コンデンサで構成される。
ROM：リードオンリーメモリ。基本的に書き込みはできない。ROMライタを使うことでデータを記憶できる。電源を切ってもデータは残ります。
マスクROM:メーカーが製造段階でデータを書き込みます。それ以降はデータは読み出ししかできません。
PROM：ユーザのプログラムをROMライタにセットして1度だけ書き込むことができます。
EPROM:紫外線で一挙に全記憶を消去。何度も書き込めます。
EEPROM：電気的にバイト・ブロック単位でデータを消去します。何度でも書き込めます。
フラッシュメモリ：電気的に全記憶（部分的も可）を消去し、何度でも書き込めます。
明日、明後日はJ2第13節。横浜FC VS 愛媛FCの試合！がんがれ愛媛FC！