ちょっとした自分用のまとめ

アンペアの周回積分の法則より、

磁束密度を周回積分すると電流を導くことができた。

それのに磁場が絡んだ状態で微分系で表すと、

rot B = μ0（ie + im)

imは磁化電流

と磁束は元の電流と磁化電流によって表されている。

元々、原子の周りには電子が周回している

→

原子の周りに円形の電流が流れてる（分子電流）

→

原子は微小な電磁石になっている

が、そこでこの分子磁石は普段はバラバラな方向を向いているので

磁性を持たないが、これらの向きを揃えることができれば電磁石となる。

向きの変え方はというと、

外部から磁場をかけてあげれることだ。

外部から磁場をかけてやるとその強さに比例して分子磁石の向きが変わる。

典型的なのは、コイルの鉄芯を入れると磁力が強くなることである。

ここで

磁化電流から発生する磁束密度的なものを磁化ベクトルJを導入して表す。


rot J = μ0 im

よって

rot (B-J) = μ0 ie

H = 1/μ0　*(B-J）

と磁界の強さと磁束密度の関係が簡単に表される。

また磁束密度と磁界の強さにはまだ単純な関係があって

B　=　μ0 H + J

で、先ほど

外部から磁場をかけてやればその強さに比例して分子磁石の向きが変わる

とあり、つまり

分子磁石の向きが変わる　=　磁化ベクトルの発生なので

J　=　xm　H

とおける

xm　は比例定数

これより

B =　(μ0+xm)　H

とおける。そこでこの比例定数をまとめて

μ　=　μ0　+　xm

とし、μを透磁率とする。

あー、まとめるのむずい　

電磁気①

まず、今回は２つの法則についての簡単な説明

２つの法則とは、電磁気では基本的なビオ・バサールの法則とアンペアの周回積分の法則です。


ビオ・バサールの法則の説明の前に、高校で習ったクーロンの法則について復習。

クーロンの法則とは

E=k(q/r＾２)

で、電荷から発生する電界を表す式です。

電磁気の基本の式ですね。

ここで、電気と磁気は似たようなものなので磁気にも同じような式がある

ということでその式がビオ・バサールの式です。

dB=(μ/4π)*I*dl✕r/r^3

ちょっとこの式ではクーロンの法則と同じようには思えないけど

外積について思い出せば同じことだとわかります。

電流を微小距離で足し合わせると磁界になるということですね。

さて次はアンペアの周回積分の法則

これはさっきの法則とは逆で磁界を微小距離で足しあわせると電流に等しくなるという式です。

もっと厳密にすると

電流が流れている導体の周りに閉路（ループ）をおき、
そのループの微小部分における磁界の強さを合計すると導体に流れる電流に等しくなる。

ということです。

再起と深さ優先探索

#include
#include

struct node {
char value;
struct node *left;
struct node *right;
};

void parse(struct node *n){
printf("%c",n->value);
parse(n->left);
parse(n->right);
}


struct node *create_tree(int *pos, char *s){
struct node *n;
n->value = *s;
if(*s != '+' || '-' || '/' || '*'){
return n;
}
else{
n->left = malloc(sizeof(struct node));
n->right = malloc(sizeof(struct node));
n->left = create_tree(pos+1, s+1);
n->right = create_tree(pos+1,s+1);
}
}

int main(){
char *str = "+/9*84-*84+73";
int p = 0;
struct node *root = create_tree(&p,str);
parse(root);
}

*sとn->valueの値が変わるのはなぜ？？？
プログラミングの深度速すぎんよ…