8インチシリコンIGBTチップ | uscomponentのブログ

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IGBTの性能向上へ期待はとどまることを知らず、特に将来の電車や電気自動車のような環境への考慮がさらに需要を高めている。






最高仕様のIGBT製造は8インチチップの組立てラインが去年、中国株洲を離れてから上昇をみせている。このラインは中国が初で、その後世界に広がった。

このチップはカナダに研究所を置くDynex Semiconductorの半導体専門家によって開発されたIGBT部品シリーズの中でも最新であった。

Dynexは研究開発部門を2010年リンカーンで操業を開始し、特にIGBTのようなハイエンドのトランジスターを開発することを望んできた。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、いわゆるIGBTは乗り物、銅切作削テクノロジーからX線まで様々なものに使われている出力コンバーターの主要部品のひとつである。IGBTは超高速のスイッチングスピード(人が聞き取れる10倍の周波数といわれている)と高周波と高電圧に対する耐久力を兼ね備えている。

CSRの新しい8インチウェーハー組立てラインはモダンソフトパンチを使ってチップを製造する最新のシリコンウェーハー製造設備を使っている。

新しい組立てラインを使って製造されるモジュールの数は年間に製造される1億個と予定され、120,000個のウェーハーを製造できると予想されている。

Dynexの研究所に導入される資金は新しいIGBTの成長に強い影響を与えるとみられている。2008年までに4インチウェーハーが開発され、そのすぐ後に6インチウェーはーが続いた。これらのIGBTはリンカーンのDynex施設で開発された。今でもDynex株洲市の新しい半導体製造ラインにおいて実行と計画の中心である。

DynexIGBTの性能をさらに改良しようと計画していて、親会社であるCSRタイムスエレクトリックとの連結を含め、計画を順調に進めるためリンカーンのみならず国際的にスタッフを雇う予定だ。

この改良は気候の変化や化石燃料に付随するテクノロジーから転換する投資に対応した計画により成長が予想されるグリーン経済で鍵となる市場をターゲットにデザインされている。電気自動車や再生可能エネルギーがDynexが開発する新しいシリコンや炭化ケイ素パワーディバイスの主なターゲットである。


 



 



 



 


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