要旨
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃での動作を保証するFRAM製品としては最大メモリ容量となる4MビットFRAM「MB85RS4MTY」（Fig.1）を開発した。
Fig.1 MB85RS4MTY
FRAM[1]は、既存のEEPROMやフラッシュメモリと比べて「高書換え耐性（書換え保証回数が多い）」、「高速書込み」、「低消費電力」の3つの特長で優位性をもつ不揮発性メモリだ。
本製品は125℃の高温環境下においても、低動作電流および10兆回のデータ書込み回数を保証する不揮発性メモリだ。先進運転支援システム（ADAS）を代表とする車載向けや産業用ロボット向けに最適だという。
従来は２Mのみであったが、ユーザーからの大容量化を望む声をうけ、本製品を開発したという。
コメント
・本製品の特徴として－40～＋125℃の温度範囲で10兆回のデータ書き込み回数を保証していることが挙げられる。このため、リアルタイムなデータ記録を必要とする用途に適しており、例えば、0.03msごとにデータを書き換えたとしても10年間同じアドレスに記録し続けることが可能だ。
・FRAMは、近年はウェアラブルデバイス、産業用ロボット、そしてドローンへの採用実績などがあるという。
[1] FRAM：Ferroelectric Random Access Memoryの略で強誘電体メモリと訳される。