半導体メモリー大手、韓国・ハイニックス半導体の権五哲（クォン・オチョル）社長兼最高経営責任者（ＣＥＯ）は13日、
ソウル市内で記者会見し、中国・江蘇省のＤＲＡＭの工場で「ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを生産しない理由はない」と述べた。
ＤＲＡＭの価格低迷を受け、フラッシュメモリーへの事業構造の転換を急ぎ、中国生産を始める意向を示した。
ハイニックスは韓国内ではＤＲＡＭとフラッシュメモリーの双方を手掛ける。
12年は前年比２割増となる４兆２千億ウォン（約3100億円）を投資し、半分以上をフラッシュメモリーに充てる計画だ。
低迷するＤＲＡＭ価格の先行きについて「今年半ばから後半にはより良くなる」と語った。
エルピーダメモリの経営破綻の影響に関しては「顧客から我々にもっと供給を増やせるかという問い合わせはある」と述べた。
「エルピーダは当面、供給増加は難しいだろう」とも指摘した。