やってたら1日終わった。
しかも全然わからんから全然進まんかった。
今週は寝る時間無いなｗ
無安定マルチバイブレータの一方のトランジスタがスイッチングした後のコンデンサに電荷がたまっていくときのベース―エミッタ間電圧の式なんでこうなるか誰か教えてください。
って同じ学科の人誰もこのブログ見てないねｗ
わからんわーとか思ってると横道にそれた。
トランジスタってダイオードと同じでPN接合からできてる。
つまりP型半導体とN型半導体をくっつけたのでできてる。
そのときに半導体として周期表の何族やったか忘れたけどを使う。
あのシリコンとかゲルマニウムとか。
そこで思ったんやけど。
ファズってさ。
あのジミヘンとかが使ってたFuzz Faceとかあのブーミーないかにもファズって感じのファズってゲルマニウム使ってる。
そんで今欲しがってるKarlとかのあの若干高域が強くて発振しそうな感じのファズってシリコン使ってる。
でさ。
なんでこんな違いが表れるのさｗ
ちょっと暇になったら考えてみよう。
っていう感じでいつも横道にそれるんですねｗ
レポートしますｗ
以上、自己満のブログでしたｗ