1995年、プリンストン大学のChou氏らが熱サイクルナノインプリント法を提案し、10nm程度の分解能を持つ製造技術として注目されている。
熱サイクルナノインプリント法では、シリコン基板に樹脂を塗布し、200℃に加熱して軟化させた後、電子線リソグラフィー装置で作製したモールドを基板に接着し、冷却してパターンを形成する。しかし、加熱・冷却工程があるため、単位時間当たりの処理能力が低く、寸法精度に問題がある。
一方、紫外線硬化型樹脂を用いたフォトナノインプリント技術がある。この技術の利点は、上述した熱サイクルナノインプリントとは異なり、加熱も冷却もしないため、熱膨張や熱収縮の問題がないこと。
とはこれは、他にもレジスト剤のチューニングやらと、実用化には課題山積みでだろう。