[カバーピクチャー]Spontaneous Doping at the Polymer–Poly | Scapiens Studio

Scapiens Studio

論文カバーピクチャーとFigureを制作する、サピエンススタジオのデザイナー、Tom Kimです。

 

Abstract

 

低誘電率のアモルファスフッ素化ポリマー、例えばポリ(パーフルオロアルケニルビニルエーテル)(CYTOP)は、その強い疎水性と有機半導体との完璧な溶媒直交性のため、有機電界効果トランジスタ(OFET)のゲート絶縁体として広く使用されています。これにより、湿気やその他の汚染物質の侵入を防ぎます。最近、これらのフッ素化低誘電率ポリマー絶縁体の新しい機能が発見されました。それは、OFETの絶縁体と半導体の界面で自発的なpドーピングが起こることです。これにより、アンビポーラな電荷輸送がユニポーラなp型に変わります。インダセノジチオフェン-co-ベンゾチアジアゾールやジケトピロロピロール-チエノ[3,2-b]チオフェンを使用したOFETでは、一般的なポリマー絶縁体(例えばポリメチルメタクリレート)と組み合わせるとアンビポーラな電荷輸送が見られますが、CYTOPやポリ(テトラフルオロエチレン)(テフロン)などのフッ素化絶縁体を使用すると完全にユニポーラなp型に変わります。この変調は、熱アニーリングによってフッ素含有絶縁体と共役ポリマー半導体の界面でC-F結合が再配置されることに起因します。これらの良好に整列した双極子モーメントは、半導体のフェルミレベルを最高被占分子軌道の方向に急激にシフトさせ、チャネル輸送にpドーピング効果をもたらし、OFETにユニポーラなp型特性をもたらします。この研究は、将来の有機エレクトロニクスにおけるフッ素化絶縁体の新しい機能を明らかにしています。-カバーピクチャーの制作はサピエンスが担当しました。

 

 

 

 

 

 

 

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