表面実装ディスクリートだけで小さいLED昇圧回路を作ろうと今まで試行錯誤してきました。
前回、SMDインダクタ2つを近接させたブレッドボードでは1.2Vから10V以上に昇圧に成功していました。
(前回の写真↓)
しかし、基板にパターンを作るとうまく発振してくれませんでした。
基板は、できるだけ小さくしようとしてMOSFETのG(ゲート),D(ドレイン)がインダクタから両方とも1mmくらいしか離れていません。
(わかりにくいかも知れませんが、発振しなかった基板パターン↓)
ブレッドボードをよく観察すると片方のインダクタからドレインにつないだ結線が、ゲートにつないだそれとかなり長さが違います。
これはもしかしたらドレインまでの長さをわざと長く取れば行けるのかも知れないと思うようになりました。
回路図で説明するとこんな感じ。
これを結線最短でやるとダメだったわけです。
そこで今度はこんなパターンを試してみます。
インダクタからG(ゲート)へのラインとD(ドレイン)へのライン黄色い2本の線を比較してみます。MOSFETのD(ドレイン)までの長さがかなり長くなりました。
とりあえず部品を4つ半田付けして、ついでにLEDも付けて
1.2Vのエネループを接続すると見事点灯しました(≧▽≦)
余りに過電圧すぎて眩しいので(LEDが短寿命で燃え尽きそうなので)下の写真では470Ωの抵抗をLEDのカソードに追加しました。
前回、SMDインダクタ2つを近接させたブレッドボードでは1.2Vから10V以上に昇圧に成功していました。
(前回の写真↓)
しかし、基板にパターンを作るとうまく発振してくれませんでした。
基板は、できるだけ小さくしようとしてMOSFETのG(ゲート),D(ドレイン)がインダクタから両方とも1mmくらいしか離れていません。
(わかりにくいかも知れませんが、発振しなかった基板パターン↓)
ブレッドボードをよく観察すると片方のインダクタからドレインにつないだ結線が、ゲートにつないだそれとかなり長さが違います。
これはもしかしたらドレインまでの長さをわざと長く取れば行けるのかも知れないと思うようになりました。
回路図で説明するとこんな感じ。
これを結線最短でやるとダメだったわけです。
そこで今度はこんなパターンを試してみます。
インダクタからG(ゲート)へのラインとD(ドレイン)へのライン黄色い2本の線を比較してみます。MOSFETのD(ドレイン)までの長さがかなり長くなりました。
とりあえず部品を4つ半田付けして、ついでにLEDも付けて
1.2Vのエネループを接続すると見事点灯しました(≧▽≦)
余りに過電圧すぎて眩しいので(LEDが短寿命で燃え尽きそうなので)下の写真では470Ωの抵抗をLEDのカソードに追加しました。

実は、特殊な豆球が壊れて使えなくなったライトがあって、それをLEDへ換装しようと大昔から企んでいました。ついに回路サイズが5mmLEDとほぼ同じになり、見込みが出てきました。





