Ｒ＆Ｄ支援センター
技術者・研究者向けセミナーの紹介
会 場 化学会館 【東京・千代田区】
日 時 平成22年3月31日（水） 10:00～16:00
講座の内容
【講座の趣旨】
LSIは規模が大きいだけでなくその構成要素が微細なために, その故障解析技術は通常の部品の故障解析技術とは大きく異なるものが多い。特に21世紀に入って,故障解析技術に関して多くの新しい技術, 改良技術が出現した。21世紀に入り,新たに出現し重要性を増してきた故障解析技術には, 微細化, マージナル不良, タイミング不良などに対応したものが多い。LSIチップ裏面からの解析の必要性が増してきたことに対応する従来技術の改良もある。さらに, 従来それほど必要とされなかったソフトを使った故障診断やナビゲーションの必要性も増してきた。
本セミナーでは, 現在どのような故障解析技術が利用されているか, どのような技術が研究開発されているかに的を絞って解説する。
【プログラム】
１．LSIの故障とその特徴
1-1 故障解析に関連するLSIのトレンド
1-2 LSIの故障の特徴
1-3 LSIの故障モードとメカニズム
1-2 LSIの故障の特徴
1-3 LSIの故障モードとメカニズム
２．LSI故障解析技術概論（1）
2-1 LSI故障解析の基本の「き」
2-2 故障解析の手順
2-3 故障解析技術の分類
2-4 パッケージ部の故障解析
2-2 故障解析の手順
2-3 故障解析技術の分類
2-4 パッケージ部の故障解析
３．LSI故障解析技術概論（2）
3-1 チップ部の故障解析（1）：非破壊絞込み技術
IR-OBIRCH, エミッション顕微鏡, EBテスタなど
3-2 チップ部の故障解析（2）：半破壊絞込み技術
ナノプロービング法, SEMベースの方法
3-3 チップ部の故障解析（3）：物理化学的解析技術
FIB, SEM, TEM,STEM, EDS, EELS, AES
IR-OBIRCH, エミッション顕微鏡, EBテスタなど
3-2 チップ部の故障解析（2）：半破壊絞込み技術
ナノプロービング法, SEMベースの方法
3-3 チップ部の故障解析（3）：物理化学的解析技術
FIB, SEM, TEM,STEM, EDS, EELS, AES
４．故障解析事例
4-1 DRAMのIR-OBIRCHなどによる解析事例
4-2 ロジックLSIの解析事例
4-3 パワーMOSFETの解析事例
4-4 TiSi配線の解析事例
4-5 銅配線の解析事例
4-6 パッケージ中ボイドの解析事例
4-2 ロジックLSIの解析事例
4-3 パワーMOSFETの解析事例
4-4 TiSi配線の解析事例
4-5 銅配線の解析事例
4-6 パッケージ中ボイドの解析事例
５．新しい故障解析関連技術の開発動向
5-1 光を利用した技術
5-2 OBIRCH関連技術
5-3 その他の技術
5-4 LSITS,ISTFAにみる動向
5-2 OBIRCH関連技術
5-3 その他の技術
5-4 LSITS,ISTFAにみる動向