Ｒ＆Ｄ支援センター
主催
技術者・研究者向けセミナーの紹介
会 場 : ＴＩＭＥ24ビル 2F 会議室B 【東京・江東区】
日 時 : 平成22年3月30日(火) 12：30～16：30
【講座趣旨】
本講習会では、最近特に注目を集めているIGBT、パワーMOSFETについて、その構造や動作原理など、開発の歴史と共に解説する。IGBTはなぜオン電圧が低いのか？なぜスイッチング損失が少ないのか？そしてなぜ壊れにくいのか？など、その優れた特性について、素子内部の電子・正孔の動きや構造などを根本から解説する。
現在パワーデバイスは大きな転機にさしかかっていると言われている。IGBTが誕生して四半世紀が過ぎ、そろそろ特性限界が見え始めているという声も聞かれる。そんな中、次世代のパワーデバイスは何なのか？ IGBTの一層の特性改善か、IGBTを凌駕するシリコンデバイスの提案か？またシリコンではなく、SiCやGaNを用いたデバイスか？興味あるテーマを議論したい。
【プログラム】
１．パワーデバイスの現状
1-1 パワーデバイスの市場動向
1-2 パワーデバイスの市場要求
1-2 パワーデバイスの市場要求
２．パワーデバイスの歴史
2-1 BJTからパワーMOSFET、そしてIGBTへ
2-2 IGBT開発の歴史（なぜIGBTが中・高耐圧デバイスの主役になったか）
2-2 IGBT開発の歴史（なぜIGBTが中・高耐圧デバイスの主役になったか）
３．IGBTの動作原理
3-1 パワーデバイスシミュレーション技術
3-2 IGBTの動作原理
3-2 IGBTの動作原理
４．IGBTの適用方法
4-1 静特性の考え方
4-2 動特性の考え方
4-2 動特性の考え方
５．IGBT最新技術とその応用
5-1 最新IGBTとその特性
5-2 今後の動向
5-2 今後の動向
６．SiCパワーデバイスの開発
７．GaNパワーデバイスの開発
８．まとめ
【質疑応答】