最先端電解・無電解銅めっき技術と添加剤の影響

技術者・研究者向けのセミナー紹介

会　場：エル・おおさか　南館　7F 南72　【大阪・天満橋】
日　時：平成22年2月4日（木）　12：30～16：30
聴講料： 1名につき49,980円（税込、資料付き）
　　　　　　1名お申し込みいただければ、2人目は無料でご参加いただけます。

※大学生、教員のご参加は、1名に付き受講料10,500円です。
（ただし、企業に在籍されている研究員の方は除きます。）

【講座趣旨】

　　めっき技術は実装基板やＬＳＩ微細配線を始めとして、様々な分野に用いられている。本講演では、電解・無電解めっきの基礎を概説した上で、微細配線に一般的に使用される銅めっきを例に取り、添加剤とめっき皮膜の電気的性質、不純物、結晶組織、微細ホールへのスーパー埋め込み技術、などとの相関についての詳細な解説を行う。

　最近話題となっている三次元実装技術における貫通ビアホールへの銅めっき技術の適用に関しても、添加剤の効果などを含めて解説を行う。

【プログラム】

１．電解めっき法および無電解めっき法の基礎

　　・様々な物質の標準酸化還元電位
　　・電気二重層
　　・標準電極とポテンシオスタット
　　・電解めっきの電流－電圧特性（バトラー・ボルマー関係式）
　　・電解めっきにおける電流、電圧印加方法
　　・主な添加剤と役割（抑止剤、レベラー、促進剤）
　　・主な還元剤と主めっき反応
　　・混声電位理論（Wagner-Traud図）
　　・触媒吸着処理法
　　・置換めっき法

２．添加剤とめっき膜質

　　・添加剤の膜中への取り込みとその評価
　　・不純物の取り込みと結晶粒径、電気抵抗の相関
　　・熱処理での結晶粒成長現象と不純物

３．電解めっきによるＬＳＩ微細ホールへのスーパーフィル技術

　　・ダマシン法と微細銅配線技術
　　・スーパー埋め込みの添加剤
　　・ボルタンメトリによるめっき機構解析
　　・スーパー埋め込みと電圧（電流）波形
　　・室温結晶粒成長現象

４．無電解めっきによるＬＳＩ微細ホールへのスーパーフィル技術

　　・抑止剤の添加と埋め込みへの効果
　　・抑止剤の膜中取り込み
　　・無電解スーパー埋め込み技術
　　・熱処理による結晶粒成長と不純物の相関

５．三次元実装への貫通ビアへの銅メッキ技術の適用

　　・バリアシード層形成技術
　　・無電解Ｃｕめっきによるシード層形成
　　・電解銅メッキによるＴＳＶ埋め込み技術