概要
東京大学と味の素ファインテクノ、三菱電機、スペクトロニクスは、半導体製造後工程に使用するパッケージ基板に、直径3マイクロメートルの微細な穴を開けるレーザー加工技術を開発しました。この技術は、高密度の配線を可能にし、人工知能などのハイパフォーマンスコンピューターの発展に貢献します。
深紫外（ＤＵＶ）レーザー加工機を使用して、層間絶縁膜への微細な穴開け加工を実現しました。これにより、自由な穴開けパターンを高速に作成でき、チップレット技術の高機能化を促進します。
現在、チップ実装基板の層間配線に使用されている穴の直径は40マイクロメートルですが、将来的には5マイクロメートル以下の穴径が求められています。この新しいレーザー加工技術は、小さい径に集光することが困難だった問題を解決しました。
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日本の研究機関がこのような先進的な技術を開発することは、国際的な競争力を強化する一助となります。特に、半導体産業における日本の地位を高めることに寄与します。これらの意義から、3㎛の穴を開けるレーザー加工技術の開発は、単なる技術的なブレークスルーにとどまらず、広範な分野での応用可能性を広げる重要なステップであると言えます。
くれぐれも技術流出には気を付けてください！
