Samsung、FinFETからGAA FETへの移行を3nm世代へ後ろ倒し ～EUV露光の7nSamsung、FinFETからGAA FETへの移行を3nm世代へ後ろ倒し ～EUV露光の7nmプロセスは年内に生産準備完了を予告
