日本の半導体産業、結構がんばってて草 NTT → 光電融合でBroadcomと協業。PEC-2がついにデータセンター登場。PEC4で切り札のメンブレン投入 Rapidus → 日の丸半導体が復活。枚葉式で差別化。2nmのプロトタイプを米ブロードコムに供給。IBMがラピダスへの投資を検討 Sony → イメージセンサー事業がモバイルだけでなく車載でも優勢。ハイブリッド・ボンディング(Cu-Cu接続)を世界に先駆けて開発 Kioxia → CBA(W2W貼り合わせ)でハイブリッド・ボンディングを導入。W2W2Wのマルチ・ボンディングで1000層NANDを目指す。積み重ねと貼り合わせでさらに積む。超高IOPS SSDをNvidia向けに開発。NanyaとのOCTRAMや光電融合の光SSDも進行。SanDiskと米NANDファブ新設か Micron → DRAM最先端ノード1γで競合に先行。広島ファブに2兆円の支援 サイメモリー → Intelと次世代メモリーZAM(Z-Angle Memory)の実用化に向けて協業 TSMC・JASM → 熊本第2工場で3nm量産 東京エレクトロン → MORフォトレジストに対応したコータデベロッパーを開発。クライオエッチングで競合のLam相手に攻勢。枚葉式の成膜装置などにも照準 Canon → NILがロジックBEOLとDRAMのHVM条件をほぼ満たす。NILスピンオフ技術のIAPを平坦化に応用(Intelが評価開始) Nikon → フォトマスク不要のデジタル露光装置を開発。新アライメント装置のLitho Booster 1000をリリース(3D構造の位置合わせで強み) SCREEN → 枚葉式の洗浄装置でトップシェア。IBM・imecと次世代洗浄プロセスを開発 荏原製作所 → CMP装置で強固なポジション KOKUSAI ELECTRIC → バッチ式ALD成膜装置で存在感。Intelオレゴンに米国デモセンターを新設 ニューフレア → 1.4nm対応のマルチ電子ビームマスク描画装置を上市。半導体・オブ・ザ・イヤー2026に輝く Lasertec → EUVフォトマスク欠陥検査でデファクト。EUV波長での実検査は代替が効かず、High-NA世代でも不可欠 Advantest → SoCテスタで圧倒的シェア DISCO → ダイシング・グライディング装置で圧倒的シェア TOWA → HBM向けモールディング装置で実績。樹脂で覆う封止で新技術 日立ハイテク → CD-SEMで不可欠。EUV世代のインライン計測で存在感を強める。Intelの工場に日立のAIシステム


 イビデン → Intel EMIB-T向けの工場に5000億円を投じる。高機能ICパッケージ基板を増産。20層の銅配線・ABF・ガラス繊維コアをまとめる高度な基板製造技術を保有
 レゾナック → 後工程用の材料(封止材・基板・熱界面材料など)でシェアNo.1。次世代半導体パッケージのコンソーシアムJOINT3を主導
 味の素 → 基板で使う絶縁体ABFを独占供給
 旭化成 → 感光性ポリイミド「PIMEL(パイメル)」がTSMCのサプライヤー賞を受賞。後工程の高度化に伴って重要性が増している
 日東紡績 → パッケージ基板に使用される低誘電ガラスクロス(Low-Dk/Low-Df)でトップシェア。IC基板の性能を支える重要材料メーカー
 三井金属 → 電解銅箔で重要ポジション。極薄銅箔はパッケージ基板の配線形成で不可欠
 Uyemura → めっき薬品(Cuメッキ液、Niメッキ液など)の主要サプライヤー。先端パッケージ向け再配線層(RDL)、バンプ形成で重要なポジション
 住友ベークライト → 樹脂加工大手。HBM封止材料でトップシェア
 ダイフク → Intelファブの天井搬送システムを構築。スマートファブ化の中核

 Ambiq → 日本人CEOがアメリカでこっそり上場エッジAI用ファブレス。MRAMなど日本の省電技術を米市場に持ち込めるポジション

 GaNパワーデバイス → FujitsuのGaNがロッキードのレーダーに採用。電磁砲レールガンはパルス電源部にGaOを採用
 SiCパワーデバイス → 乗用車のインバーターで採用拡大中
 ダイヤモンド半導体 → 2026年1月にダイヤモンド半導体のサンプルを製造販売。世界初の量産工場が福島・大熊町に完成