何気に箸休め的に作成したLED 逆電圧保護シミュレーション回路です
絶対最大定格値に対する配慮等は、余り考えていません
（本当は安全率、周波数に対するゲイン低下レベル等を考える必要はあります）
MOSFETは各端子間にC成分があり、ゲート電圧をONすると
一瞬ドレイン側に逆電圧が印加される傾向にあります
LEDはOFF状態ではアノード側の電子が少ない状態にある為
MOS FET ON時、ドレイン側から一瞬電流が流れ込みます
恐らく流れ込む電流が大きいとLEDが破損するのではと想定しています
それを低減する為、ゲート電圧OFF時にドレインーゲート間に蓄えている電荷を
2N4146 PNP型トランジスタに引き込み、
次回ON時の逆電圧レベルを低下させる事ができればと考えていました
MOSFETとLEDもしくは他の半導体との組み合わせは、少し注意が必要かも知れません