No.144 半導体薄膜 結晶化200度C低く
No.144 半導体薄膜 結晶化200度C低く
兵庫県立大 プラ基板、劣化抑制
（2010年11月29日 日刊工業新聞）
軟Ｘ線を照射してシリコンやゲルマニウムなどの半導体薄膜を
従来よりも100－200℃低いオンで結晶化する手法を開発した。
420－580℃程度で結晶化できる。
低温で薄膜を結晶化すれば基板の劣化を抑えられるため、
既存のガラス基板に加えてプラスチック基板のTFTが作りやすくなる。
折り曲げ可能なフレキシブルディスプレイや次世代の薄膜太陽電池の開発に役立つ。
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