No.128 多孔質半導体酸化物薄膜 容易な作成技術開発

No.128 多孔質半導体酸化物薄膜　容易な作成技術開発

産総研　デバイス用電極材へ

（2010年9月17日　日刊工業新聞）

直径５０ナノメートル以上の穴を持つ多孔質膜の薄膜を作成する技術。

従来のようにクレーター構造の凹凸しかできなかったりする難点を防ぎ、

しっかりとした穴の空いた多孔質構造が得られた。

この新技術により酸化チタンや酸化スズなど代表的な半導体酸化物の

マクロポーラス薄膜形成に成功した。

太陽電池やガスセンサーなど光電変換デバイス用電極材料に応用を目指す。

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