2025年、世界の半導体エッチング装置市場は192億米ドルと評価され、2032年には279億米ドルに達すると予測され、予測期間中のCAGRは5.7％となっています。
市場動向
先進的なロジックおよびメモリチップの需要
コンピューティングおよび消費者向け電子機器における高性能化と省エネルギー化への追求が主要な成長要因です。最先端ロジックチップの5nm以下ノードや高度な3D NANDおよびDRAMメモリの製造には、高度で精密なプラズマエッチング装置が必要です。Gate-All-Around（GAA）などの新しいトランジスタアーキテクチャへの移行は、原子レベルの選択性と複雑な3D構造を実現できるエッチング装置の需要をさらに強化しています。
ファウンドリおよびIDMの生産能力拡大
世界の半導体メーカーは、サプライチェーンの強化と急増する需要に対応するため、新しい製造施設への投資を拡大しています。主要ファウンドリおよび統合デバイスメーカー（IDM）は、特に米国、台湾、韓国で新規設備の大規模資本投資計画を発表しています。各新設ファブには大量のエッチング装置が必要であり、装置サプライヤーに対する強い需要の長期サイクルを生み出しています。
➤ 市場アナリストは、この能力拡大と技術移行により、2028年までに世界の半導体エッチング装置市場が150億ドルを超えると予測しています。
さらに、人工知能、機械学習、高性能コンピューティングなどの新規アプリケーションの成長により、複雑なアーキテクチャを持つチップの需要が高まり、精密な特徴を高アスペクト比で定義できる高度なエッチングプロセスの必要性が直接的に増加しています。
市場機会
ドライエッチ技術の進歩
原子層エッチング（Atomic Layer Etching, ALE）などの次世代ドライエッチ技術の開発には大きな機会があります。ALEは原子層ごとに材料を除去することで、将来のノードに不可欠な超精密3D構造を作成可能にします。信頼性が高くコスト効率の良いALEシステムを商業化できる企業は、従来のプラズマエッチングの限界を超える市場で大きなシェアを獲得する見込みです。
化合物半導体およびパッケージング市場の成長
パワーエレクトロニクスやRF用途向けに化合物半導体（GaN、SiCなど）の採用が増加しており、特殊なエッチングプロセスの需要が拡大しています。また、Fan-Outや3Dインテグレーションなどの高度なパッケージングソリューションの普及により、TSV（Through-Silicon Via）作成やウェーハ薄化のための高度なエッチング装置の需要が増加しています。これらの関連市場は、従来のシリコンロジックおよびメモリセグメントを超えた多角的な成長の道を提供します。
主要企業
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Lam Research
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Tokyo Electron Limited (TEL)
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Applied Materials
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Hitachi High-Tech
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Oxford Instruments
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SPTS Technologies (KLA)
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Plasma-Therm
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GigaLane
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SAMCO
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AMEC
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NAURA