ワンダーピュア３１１０修理中です。
そもそも知識が浅いのでnightdaisukiさんが紹介されていたトランジスタアンプの設計という本を読みました。
気になったのはこちら、Pチャネル型とNチャネル型間のゲート電圧を半固定抵抗がセンターの時に３Vになるように設計とあります。
確か、前回測定したG－S間の電圧が１～２Vの間だったような気がするので、それがコンプリメンタリでシンメトリー型なので２倍して３Vに設計となっているんじゃないかな？？
早速実機を測定してみます。
まずは、OPアンプの正負電源の電圧からです。
+のほうは１７．９２V、－の方はー１７．８２Vで正常です。
いや、OPアンプの電圧って大体±１５Vぐらいで取るんじゃないの？？
と思った方正解です。
このOPアンプOPA１３４PAの耐圧はデータシート上で±１８Vですのですので結構かつかつ設計なのです。
稀に自作マニアの方で音質をよくするためにアイドル電流を多く流したり、OPアンプをギリギリの電圧で使用したりするのは聞きますが、熱変動などもありますので少し怖い設計かもしれませんね。
ここまでは確認であれからバイアス用の抵抗をいくつか試してみましたので書きます。
前回の作業で抵抗は既に１１０KΩに変えてしまったので１１０KΩから両方のゲート間の電圧調整幅を見ていきます。
１１０KΩ：６．４３V～９．２３V
中央で３Vにしたいので前回のトラ技の記事のように抵抗を低くしてみます。
４７KΩ：３．１５V～５．９３V
おお、確かに記事通りにバイアス量が変動しました。＾＾／
これも確か自作FETアンプで有名な方の本に書かれていたような、、、
でも、抵抗一本交換するだけで終段のP、N型のFETに均等にG―S間電圧が掛かるのか不安になりますね。僕が思うに偏ったバイアスが掛かった→FETが飛んだみたいな経緯で故障したとおもうのですが、、、
この後の予定はゲート間電圧を半固定抵抗がセンターの時に３Vにあるように調整→ゼロバランスを取って終段のｐ、ｎチャネル型のFETに同量のG－S間電圧が掛るように設定？？
そうそう、nightdaisukiさん替えのFETまで頂いてありがとうございます。有効に使いたいと思います。
