USBメモリ分解

仕事でギガオーダーの不揮発性メモリを扱うことになり、家電量販店の特売でUSBメモリ－２Gを580円で販売していたので仕組みの研究用に購入しました。

購入したUSBメモリは下の写真のもの↓

ドライバーで横からこじるとつめが外れて簡単に分解できました＾＾

まず目に入った部品はPHISONというメーカーのPS2233です。

PHISON 　同型番のデータシートは公開していないようです。

反対の面はパラレルFlashメモリです。

東芝のNAND型Flashです。

こちらもデータシートは非公開のようで近い型番のデータシートを見ました。

今回の分解で次の２つのことを学べました＾＾

１．NAND型フラッシュのアドレス指定

　今回フラッシュメモリのデータシートを見ることも初めてで知りませんでした。あのピン数でアドレスピンが出ていないですね。てっきりSRAMみたいな感じで使えるかと思っていました↓

書き込みブロックサイズを調べてみたら128kバイト（1Gの別型番）だそうで、これは思ったより大きかったですねー。私が関わるシステムではちょっとというかかなーり大きすぎますね(^_^;)

やはりMMCやSDの方が扱いやすそうです。ただ動作中の消費電流はSDより少ないのは魅力です。

WindowsでUSBメモリ使うと一度は「遅延書き込みでどうこう」と注意された経験があるかと思いますが、ブロックサイズが128kバイトだと思うと、確かにまとめて書き込んだほうが良いですねー。

２．パターン引き回し

　下の写真の基板外周が注目です。

基板外周に幅0.5mmほどのパターンが走っています。両面とも同様に走っています。

その内側のベタも同じGNDなんですが、敢えて分けて引いているようです。

EMIの基本ルールの一つに基板外周に振動線を這わせないとありましたが、忠実に引いています。

ただベタと分けているところが気になります。

推測ですが、サージ対策と２重シールド的な意味合いではないのかなと考えています。

この剥き出し基板見てたらこの状態のほうが見た目が良いように思えてきたので、今度透明の熱収縮チューブをかって基板に被せてそのまま持ち歩こうかなと考えたりしてます＾＾