IMPACT and Samsung PI SimpleTest.

その後、PSCも冷やしましたが、

どうもIMPACTでは石を限界まで冷やした状態だと

CB & CBBが酷くて使い物になりません・・。

まともに動くのは最初の10分くらい？（笑）

石(IMC)のせいだと思いましたが、Computexの段階では石を限界まで冷やした環境でも、

メモリ(HynixCFR)も限界まで冷やせてましたし速度も出ていました。

ですので、たまたま我が家の石達の性格？とも思いましたが、

他所でもまったく同じ症状が報告されているので、我が家特有の症状ではなさそうです。

分かりきってる事はESとリテールはまったく違うということで、

過去もそういう感じの石は多々ありましたが、今回4770kは特に差が酷いです。

CB限界、Vcore限界、IMC耐性、IMC冷え耐性、メモリ冷え耐性・・・

まぁ、まったく別物ですね。

そういうこともあり、一旦メモリを冷やさなくてもよいSamsungに戻して

色々データをとってました。

POTを変更したらClockが凄く伸びるようになったこともあり、

安定して何回も走らせるクロックは

以前の6.5GHzGPから6.6GHzにレベルアップさせてます。

CPU-POT : WB-02(since 2009)
G.skill : F3-2666C10-4GTXD
PSU :GALAXY HOF1000G
SSD : GALAXY 240GB
Vcore 1.76v / Vcache 1.75v /

メモリ電圧　→　 最初の1時間Vddr 2.00v /2時間目以降Vddr 2.2v /

3時間目以降Vddr2.25v /

耐性UPが目的の昇圧ではなくメモリチップを加熱させる目的（笑）

メモリ表面が冷えると同じクロックとタイミングでも0.2sくらいやるたんびに遅くなる為。

いっそのことSamsungも剥がして裸にしメモリPOTを乗せて

冷えてきたらバーナーでPOTをあぶりながら

温度管理をすればいいじゃないか～とも考えましたが、

あんな狭いマザーのスペースなので、どんなに養生しても

油系を塗りまくっても保ちたい温度が【常温】なので、

確実に何かが？死亡しそうですしエクストリームすぎます（笑）

当然、タイミング等はまだまだ詰められますしメモリクロックも上がるでしょうから、

今後もSamsungでも試していきますが、

うちの環境ではパイとの相性が一番良かったASRock板に換えて

他のメモリを冷やそうとも考えてます。

おまじないとしてスカルプDで頭を洗えば良い結果が出るかもしれません・・・。

あと、そろそろHOF780と専用電源のレビューもやっていく予定です。