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FET らしいのだが。
部品箱からトランジスターらしきものを見つけた。
擦り切れてしまって銘板が読めない。

TO-92 はトランジスターとは限らないので、一応LCR 測定器で調べてみた。

LCR- T4 ではNPNトランジスターと判定された。
hFEが491 とやたらと大きい。
BL ランクかもしれない。
ところが、
IDSS=5.5mA,
ID=1.2mA @Vgs=-0.805V,
Vth=−1.54V @ID=0mA
まあ、それらしい数値である。
自作のFET静特性測定器で測ってみた。

Vth=- 1.570V @ID=10μA,
IDSS=6.07 mA
グラフから読み取ると、
ID =1.6mA @Vgs=- 0.81V、
である。
LCR− T7 のデータに近い。
ここで気がついたことがある。
Vgs がブラス領域になるとgmが減少するのだ。
Rs =50Ω のときよりも、
Rs=0Ω つまりIDSSのときの方がgmが低いのである。
こんな特性のJFETは初めて見た。
斜めにしてよく見ると、
Vgs=- 0.1V 辺りに変曲点がある。
MOS−FETではよく見る特性だが変曲点の位置が腑に落ちない。
デプレッション型のFETであることは間違いないようだが、今まで見たFETとは随分異なった特性である。
Vgs をもっとプラス側に振ったときの様子も見てみたいのだが、壊れてもよい覚悟ができない。
どなたかこんな特性のFETの正体を御存知ないだろうか。
是非ご教示願いたい。
DSO138 完成
初期調整を終えてまたアクリルケースに入れた。実はこのケースキットにはちょっと問題があるのだ。本体とディスプレイ部を接続して、3枚のアクリル板でスライドスイッチやタクト延長具を固定してM3 のビスで止める。このときにビスの長さと基板とアクリル板の間の距離が曖昧なのだ。最初に組み立てた時には締めすぎて本体の基板が少したわんでしまった。慌てて緩めて事なきを得たが、無神経に締め過ぎたら内部の細い配線パターンが切れてしまったかもしれない。今回は長さ6mmのスペーサーとM3用の平ワッシャー二枚を挟み込んだらちょうどいい長さになった。

写真からわかるだろうか、白いプラスチックのスペーサー。最終的に組み上げて、また波形を確認する。矩形波はOK。次にスマホアプリの正弦波発生器で、800Hzと1000Hz の波をみてみた。



なんとなく荒い。画面の解像度の問題か、アプリの出力の問題か、なんとなくノイズっぽい。まあ、この値段でここまで見られれば御の字としなきゃなるまい。低周波の波形をちょっと確認したいときなどにはなかなか便利だと思う。





