ＮＥＣエレ ４０ナノ回路で新技術 トランジスタばらつき低減（フジサンケイ …

話題のニュースですね。

え・・・そんな・・・



半導体子会社とエレクトロニクスに関して、どのような相関性があるのか興味があります。
気がついたのですが、回路形成について、とても気になります。
しかし、果たして、新技術と新技術はどのような相関性があるのか、よく考えてみたいですね。
しかしながら、製造子会社は、とてもびっくりする話題だと思います。
セミコンダクターズに関しても気になりますが、トランジスタに関する話題を最近よく見かけますね。


　ＮＥＣの半導体子会社、ＮＥＣエレクトロニクスは、線幅４０ナノ（１ナノは１０億分の１）メートルの回路形成プロセスで、トランジスタ特性の不規則なばらつきを低減する新技術を開発したと発表した。新技術を４０～４５ナノ世代のシステムＬＳＩのすべてに採用し、今年度から製造子会社のＮＥＣセミコンダクターズ山形（山形県鶴岡市）で量産する。 　開発したのは、トランジスタがオン状態になる「しきい値電圧」のばらつきを少なくする技術。しきい値電圧の不規則なばらつきを従来技術に比べ１８％低減することに成功した。 　ばらつきの影響を多く受けるＳＲＡＭ開発に有効で、従来必要と考えられていた動作アシスト回路が不要になるため、ＳＲＡＭを組み込むＬＳＩの面積の縮小が図れ、低コストのＬＳＩ製造が実現できるという。米ホノルルで開催中の半導体学会「ＶＬＳＩ技術シンポジウム２００８」で公表した。

こちらも超話題です。要チェック。

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