既存のフラッシュメモリー,DRAMなどの短所を克服できる次世代メモリーの開発競争が激しい中で,その中でもPRAMに対する特許出願が最も活発なことが分かった。
PRAMは相変化物質を電気的に加熱して,物質が抵抗が弱い決定状態になるか,抵抗が強い非晶質状態になるかにより情報を保存して判読する方式のメモリー素子だ。
特許庁によれば,国内出願されたPRAM関連特許は204件として,景気低迷で前年(223件)に比べては若干減少した、,他の種類の次世代メモリーのFeRAM,MRAM,ReRAMの特許出願が各々20件,53件,66件に終わったのに比べては圧倒的に多いことが分かった。
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