次世代非揮発性メモリーは抵抗性メモリー
抵抗性メモリー(ReRAM)がフラッシュメモリーと替わる新しい次世代非揮発性メモリー技術として急速に浮び上がっている.
抵抗性メモリーはメモリーセル内の薄膜形態に具現される抵抗性物質に電気的信号を認可して該当の物質の抵抗を変化させることでデータを記録する非揮発性メモリー技術だ.
コンピューター及び PDA などのデータ保存装置として使われる DRAM, USB メモリーに搭載されて使用者の携帯性を提供するフラッシュメモリーは私たちの生活になくてはならない必需品だ. DRAMは揮発性メモリーで電源供給が遮られれば保存されていたデータが皆消滅してしまうことに比べてフラッシュメモリーは非揮発性メモリーで電源供給が遮られても保存されたデータがそのまま維持される.
現在まで知られた次世代非揮発性メモリー技術は自分のメモリー(MRAM), 強誘電体メモリー(FeRAM), 相変化メモリー(PRAM), 抵抗性メモリー(ReRAM) などがある. これらメモリー中で相変化メモリーが商用化に一番近接した次世代非揮発性メモリー技術に評価されて来たが, 集積度を大きく進めにくい問題で, 最近には単純なメモリーセル構造によって集積度を大きく高めることができる抵抗性メモリー(ReRAM) 技術が新しい代案で急速に浮び上がっている。
特許庁によれば, 抵抗性メモリー関連特許出願は 2003年 6件が出願されたことを始まりに, 2004年 13件, 2005年 41件, 2006年 46件, 2007年 60件の険しい増加成り行きを見せている(付け1 参照). 特に, 2003年まで国内人による特許出願が全然なかったが, 2007年には 40件(シェア 67%)が国内人によって特許出願になることで抵抗性メモリー関連国内研究が世界を善導する技術水準として立ち上がっている。
特に注目するに値する点は, 源泉技術確保が充分でなかった DRAM, フラッシュメモリーなどの既存メモリー分野に比べて, 2006年国内人によって出願された 34件の抵抗性メモリー関連特許出願書を分析結果, 80%にのぼる 27件が源泉技術と係わるのだ.
これは 2004年度から政府が ‘次世代テラバイト級非揮発性メモリー’の源泉技術確保のために積極支援に出た結果であり、この間三星電子とハイニクス半導体が次世代非揮発性メモリー事業団との協約式を通じて次世代非揮発性メモリー分野の技術開発でも積極的な産学研共助体制を取り揃える事にするによって, 国内研究陣による関連特許出願はもっと増加することと予想される。
（略）
以下原文です。
http://kipo.korea.kr/kipo/jsp/kipo1_branch.jsp?_action=news_view&_property=tmp_sec_4&_id=155291510