半導体素子の集積度及び微細化向上のための技術競争が ‘high-Ｋ(high-k)’に代表される新物質と金属ゲートの導入にいっそう加速化されている。
特許庁は次世代ナノ工程具現のための核心技術に評価されるhigh-Ｋゲート絶縁膜及び金属ゲートを含んだトランジスターの出願が増加にあると明らかにした。
半導体集積度向上のカギである微細化の具現のためにはゲート絶縁膜が薄くなってもリーク電流を最小化させなければならないのに,high-Ｋゲート絶縁膜は漏洩電流を劇的に減少させることができる. また, high-Ｋゲート絶縁膜の主成分が金属なので絶縁膜と接したゲートを金属材料で取り替えればその效果が倍加される.
high-Ｋゲート絶縁膜及び金属ゲートを含んだ半導体トランジスターと係わって国内に出願された特許は 1999年以前には 5件に過ぎなかったが, 2000年 14件, 2001年 23件, 2002年 18件, 2003年 26件, 2004年 43件, 2005年 45件で毎年倦まず弛まず増加している. 特に 2004年に入って半導体メモリー素子high-Ｋゲート絶縁膜及び金属ゲートを適用した出願が急増した(付け 1 参照). この期間に出願国家別では韓国 145件(83%), アメリカ 6件(3%), 日本 22件(13%), ドイツ 1件戍で(付け 2 参照), 出願人別では世界半導体メモリー技術を主導する三星電子とハイニクスの出願が大部分を占めたことで現われた.
今年初インテル(Intel)high-Ｋゲート絶縁膜及び金属ゲートを適用して 45ナノ工程で具現した次世代 CPU ペンリン(Penryn)に対して, ‘ムーアの法則’で有名なムーアインテル共同創業者が ‘半導体 40年歴史上一番画期的な新技術’で宣言した書き入れ時に注目する必要がある.
インテル以外にも三星電子.ハイニクス.IBM.AMD など国内外輸出入企業たちが先を争って準備している次世代半導体工程の大部分がhigh-Ｋゲート絶縁膜及び金属ゲート技術を基盤とするという点で, 今後のこの技術分野を先行獲得するための出願競争は徐徐に加熱されることと見込まれる.
特許庁は “半導体新技術分野に対する内国出願の割合が高いということは私たちの企業の高い位相を如実に見せてくれること”と言いながら, “今後とも毎年半導体集積度が 2倍で増加するというファンの法則を裏付けるための革新的な技術がずっと登場すること”と言った.
（略）
以下原文です。
http://kipo.korea.kr/kipo/jsp/kipo1_branch.jsp?_action=news_view&_property=tmp_sec_4&_id=155192267