特許で見た次世代半導体先頭走者は P-RAM
次世代半導体に対するアメリカ国内特許を調査した結果, F-RAM, M-RAMの特許は最近になって急激に減少するしている一方で、P-RAMは 2001年以後大きな変化なしに登録されているだけではなく, 主に実用化に必要な技術が登録されていることを見るにあたり、P-RAM製品が一番先に市場主導権を取ることと見込まれている。
次世代半導体だと言うことは既存 DRAMとフラッシュメモリーの後を引き継ぐ一つの概念の半導体素子として F-RAM(Ferroelectric Random Access Memory), M-RAM(Magnetic RAM), P-RAM(Phase Change RAM) などを意味して,
- これらは DRAMが持った高速・高集積度長所とフラッシュメモリーの非揮発性の長所を皆取り揃えて将来すべての種類の半導体を取り替えることもできることと予想されるから各企業は市場先行獲得のために熾烈な技術開発競争をしている状況である。
- 各企業ごとに重点的に開発中の技術が違うからどんな種類の半導体技術が次の市場の主類を二塁かにしたがって企業別で悲喜が変わることもできる.
特許庁-調査結果によれば, ‘01年～03年間 MRAMの場合年平均 310余件, FRAMの場合 200件の登録を現わしたが, ‘04年場合間それぞれ 110件(MRAM), 49件(FRAM)で大幅で減少した一方,
PRAMの場合 ‘01～03 間平均 55件であり、 ‘04年には 19件の登録を記録して相対的に減少幅が小さなことに分析された。
以下、略。
2006-07-11 報道資料より
http://www.kipo.go.kr/kpo/user.tdf?a=user.news.press1.BoardApp&board_id=press&catmenu=m03_02_01