アメブロのクソ仕様が嫌で別の場所へ移転済みです。
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キットや部品選択での頒布をご依頼された方とのやりとりで
・C4の555用デカップリングコンデンサはもっと小さな値(MLCC)でも良いのでは？
・3～4mのケーブルでつないでも効果はあるか？
というお問い合わせに対して、実際やってみたよ！という報告。
C4は確かに自身もFETのQgとか小さいから、33uFでも大きすぎかな・・・と
思ったり思わなかったり、でも検討するのは面倒だから放置していた問題。
というわけで
秋月さんで積層セラミックコンデンサ(MLCC)の50V1uF を買ってみました。1個10円。
1から作るのが面倒だったので過去の検証で作ったものを使用。黄○部のコンデンサをリワーク。
撤去するとこんな感じ。ここに1uFさんを実装。
交換完了。
で、動作確認時の波形
えー、想定通りではありますが全く問題無し。
このあと更に0.1uFに取り替えもしてみましたが波形に変化が無かったので画像取得していません。
ただ問題はこれ。同じ諸元でC4撤去状態。
パルス尖頭値が50V弱まで跳ね上がってます。
繰り返しの周期も長くなっていることから
C3/R3/R4の555動作タイミングを決める部位に対してのデカップリングが喪失したことで
C3の充放電時間が長くなり、結果FETのON/OFF時間ともに長くなることから
周期が長くなってパルスも強くなっているご様子。
ということで結論
C4撤去でパルスブーストします。あと安定動作には0.1uFで十分。
次に長距離伝送について。
こんな感じで＋／－ともに約5mの2sqHIV線で接続してみました。
配線が長くなることで電線の線路インピーダンスは高くなるので無理かなーと思いつつ波形確認
案の定、弱い結果に。バッテリ端での尖頭値が約22V。
弱いなら強くしたらいいじゃん。ってことで、先ほどのパルスブーストことC4撤去したところ
バッテリ端で約30Vまでいきました。
ということで、配線長が長くなる場合には
C4外してパルスブーストすれば届く可能性あり。
以上結果を踏まえ、デサルフェータ製作キットのC4は
今手持ちの33uFが無くなり次第1uFに変更
1uFが無くなり次第0.1uFに変更
としていきます。