IDTとeSilicon、次世代RapidIOスイッチ開発で連携

(マイナビニュース)

IDTとeSiliconは7月8日(米国時間)、無線、組み込み、コンピューティング?インフラ用の新たなシステム?アーキテクチャの性能に対する要求の高まりに対応することを目的に、次世代RapidIOスイッチの開発促進に向けて連携することを発表した。

同連携ではナイキ フリー 最初にRapidIO 10xN仕様をベースにポート当たり40Gbpsで動作するRapidIOスイッチの研究開発を共同で行う予定だとしている。

RapidIO 10xNスイッチは、100nsの低レイテンシ、ポート当たり40Gbpsの帯域、40億個以上のネットワークノードへの拡張性という最適な組み合わせを実現可能で、これをベースに開発されるデバイスは、LTE-Advanced(LTE-A)、C-RAN、5Gといった次世代の基地局プラットフォームを対象とするほか、ハイパフォーマンス?コンピューティング(HPC)プラットフォームと併設される基地局など新興のアーキテクチャにも対応するとしている。

なお両社は、この最初の共同開発製品を2015年後半に発売する予定だとしている。