昨日までに作ったアナログ部分の基板を、本日(11/25)は単体でテストしました。パネルに取付けるボリューム類を仮付けして、出力にアンプとオシロをつないで、外部電源(5V)からアナログスイッチを動作させた。
![イメージ 1](https://stat.ameba.jp/user_images/20191128/22/jh1lmd/5f/87/j/o0800060014652370569.jpg?caw=800)
基本的に動作は確認できた。受信機からの信号の代わりに1KHz/-20dBの正弦波を入れてミキシングレベルの確認もできた。ミキシング後のバッファーアンプの増幅率を調整するボリューム(Amplitude VR)は10KΩ程度の固定でも良いかもしれない。
ウィーンブリッジの電圧制御用FETのドレイン抵抗を3.3KΩにしたが、正弦波のリニアリティをオシロで確認すると3.9KΩにした方が良いことが分かった。変更した回路は以下の通りです。
![イメージ 2](https://stat.ameba.jp/user_images/20191128/22/jh1lmd/b6/06/p/o1200067214652370579.png?caw=800)
これで400Hzから2KHzの間は、問題なく発振していた。次はエレキーを中心としたデジタル部分の基板の製作を行います。